晶圆片边缘处理装置.pdf
努力****星驰
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
晶圆片边缘处理装置.pdf
本发明涉及一种晶圆片边缘处理装置,包括清洗池及安装于清洗池上方的清洗腔,所述清洗池中安装有多个驱动滚轮,驱动滚轮的驱动轴与驱动装置连接;所述清洗腔中设有多个清洗槽,所述清洗槽对应位于驱动滚轮的上方。本发明专用于晶圆片边缘的清洗处理,采用多个驱动齿轮集中驱动晶圆片,其清洗效率高,整个处理装置的结构简单、紧凑。
晶圆片边缘处理装置的清洗槽结构.pdf
本发明涉及一种晶圆片边缘处理装置的清洗槽结构,多个清洗槽布置于清洗腔中,所述清洗槽对应位于清洗池中的驱动滚轮的上方,位于所述清洗槽的两侧插置有多根导杆。本发明专用于晶圆片边缘的清洗处理,采用多个驱动齿轮集中驱动晶圆片,其清洗效率高,清洗槽的布置合理,结构紧凑。
改善晶圆边缘处理的方法.pdf
本发明公开了一种改善晶圆边缘处理的方法,包括步骤:1)使用正常半导体工艺在衬底的正面形成需要的器件,其中,所述衬底具有正面和背面;2)在衬底周围形成沟槽;3)在沟槽的外围形成图形;4)在衬底的正面贴附支撑物,形成衬底的正面支撑物;5)通过机械减薄或者化学机械研磨处理对衬底的背面进行减薄;6)将正面支撑物连同沟槽外围残留衬底一同揭除。本发明很好地解决晶圆减薄过程中由于边缘的斜坡的存在导致的减薄后在晶圆边缘产生的缺口进而导致碎片的问题。
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。