半导体封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115995667A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202111219126.4(22)申请日2021.10.20(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号(72)发明人施佑霖李志成(74)专利代理机构北京植众德本知识产权代理有限公司16083专利代理师高秀娟(51)Int.Cl.H01Q1/22(2006.01)H01Q1/38(2006.01)H01Q1/48(2006.01)H01Q15/14(2006.01)H01L23/66(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称半导体封装结构及其制造方法(57)摘要本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，利用柔性线路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)可绕折的特点，将低介电常数/介电损耗(lowdk/df)的载体作为支撑件，使FPC的接地反射导体绕折至FPC的辐射导体的相对面，支撑件的厚度即为共振腔高度，由此天线导体之间的共振距离可以不受制程能力的限制。同时由于AiP/AiM整体结构为FPC‑支撑件‑FPC，所以整体的热膨胀系数(CoefficientofThermalExpansion，CTE)较为平衡。CN115995667ACN115995667A权利要求书1/1页1.一种半导体封装结构，包括：基板，具有第一天线部、第二天线部以及连接所述第一天线部与所述第二天线部的弯曲部；支撑件，设于所述第一天线部与所述第二天线部之间，所述支撑件与所述弯曲部共同限定一共振腔。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一天线部内设有辐射导体。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述第二天线部内设有接地反射导体。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述半导体结构还包括：射频芯片，设于所述第一天线部上且分别与所述辐射导体和所述接地反射导体电连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一天线部与所述支撑件之间设有第一粘合层。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第二天线部与所述支撑件之间设有第二粘合层。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述支撑件的介电系数小于所述基板的介电系数。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其中，所述支撑件采用低介电常数/介电损耗材料。9.一种半导体封装结构的制造方法，包括：提供基板，所述基板包括第一天线部和第二天线部；在所述第一天线部上设置支撑件；绕折所述基板，使所述第二天线部绕折至所述第一天线部的相对面，使所述支撑体设于所述第一天线部与所述第二天线部之间。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一天线部包括辐射导体，所述第二天线部包括接地反射导体；以及所述使所述第二天线部绕折至所述第一天线部的相对面，包括：使所述接地反射导体绕折至所述辐射导体的相对面。2CN115995667A说明书1/4页半导体封装结构及其制造方法技术领域[0001]本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体封装结构及其制造方法。背景技术[0002]为了满足RF(RadioFrequency，射频)信号的共振腔高度的需求，在一种AiP(Antenna‑in‑Package，封装天线)/AiM(Antenna‑in‑Module，天线模块)结构中，采用多层介电层，使得基板层数过多，良率低且成本较高。在又一种AiP/AiM结构中，利用射频基板与天线基板的堆栈，使射频信号通过空气腔耦合。然而上述两种结构，共振腔高度不易控制，又或者需要制作高成本的支撑件(例如铜球)来满足共振腔高度的需求。在另外一种混合AiP/AiM结构中，即采用非对称结构以及不同的材料(天线基板使用低介电材料)，热膨胀系数(CoefficientofThermalExpansion，CTE)不匹配而产生翘曲。发明内容[0003]本公开提供了一种半导体封装结构及其制造方法。[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装结构，包括：[0005]基板，具有第一天线部、第二天线部以及连接所述第一天线部与所述第二天线部的弯曲部；[0006]支撑件，设于所述第一天线部与所述第二天线部之间，所述支撑件与所述弯曲部共同限定一共振腔。[0007]在一些可选的实施方式中，所述第一天线部内设有辐射导体。[0008]在一些可选的实施方式中，所述第二天线部内设有接地反射导体。[0009]在一些可选的实施方式中，所述半导体结构还包括：[0010]射频芯片，设于所述第一天线部上且分别与所述辐射导体和所述接地反射导体电连接。[0011]在一些可选的实施方式中，所述第一天线部与所述支撑件之间设有第一粘合层。[0012]在一些可选的实