封装框架、半导体封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115995442A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211254027.4H01L21/56(2006.01)(22)申请日2022.10.13(71)申请人杰华特微电子股份有限公司地址310030浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室(72)发明人甘志超(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449专利代理师蔡纯刘静(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称封装框架、半导体封装结构及其制造方法(57)摘要本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种封装框架、半导体封装结构及其制造方法，该封装框架包括：多个管脚，每个管脚的第一表面上设置有至少一个焊接点；至少一个贯穿槽，设置于所述多个管脚中的目标管脚的第一表面，并贯穿所述目标管脚的第一表面，所述目标管脚对应所述多个管脚中长度大于预设值的管脚。本发明能够有效的缓解封装框架与半导体芯片之间的焊锡在温度循环的过程中受到的局部热应力，有利于提高封装结构的可靠性。CN115995442ACN115995442A权利要求书1/2页1.一种封装框架，其中，包括：多个管脚，每个管脚的第一表面上设置有至少一个焊接点；至少一个贯穿槽，设置于所述多个管脚中的目标管脚的第一表面，并贯穿所述目标管脚的第一表面，所述目标管脚对应所述多个管脚中长度大于预设值的管脚。2.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述至少一个贯穿槽的数量为1个，且靠近所述目标管脚的中心位置。3.根据权利要求2所述的封装框架，其中，所述贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中之一。4.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述至少一个贯穿槽的数量为2个或2个以上，包括交替排布的至少一个第一贯穿槽和至少一个第二贯穿槽。5.根据权利要求4所述的封装框架，其中，所述至少一个第一贯穿槽中每个第一贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中之一，所述至少一个第二贯穿槽中每个第二贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中另一。6.根据权利要求4所述的封装框架，其中，所述至少一个第一贯穿槽和所述至少一个第二贯穿槽沿所述目标管脚的长度方向交替排布。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的封装框架，其中，所述至少一个贯穿槽中的每个贯穿槽均沿所述目标管脚的宽度方向延伸。8.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述目标管脚的第一表面设置有间隔排布的多个焊接点，所述至少一个贯穿槽从所述多个焊接点的间隙处贯穿所述目标管脚的第一表面。9.一种半导体封装结构，其中，包括：如权利要求1‑8中任一项所述的封装框架；半导体芯片，以倒装的形式固定焊接在所述封装框架的第一表面，其中，所述半导体芯片通过多个导电柱与所述封装框架上的多个焊接点电性连接；封装胶体，包覆所述封装框架和所述半导体芯片。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中，所述封装框架中的至少一个贯穿槽内均由塑封料填充。11.一种半导体封装结构的制造方法，其中，包括：提供设置有至少一个贯穿槽的封装框架；将半导体芯片以倒装的形式固定焊接在所述封装框架的第一表面；对所述封装框架和所述半导体芯片进行塑封，其中，所述至少一个贯穿槽设置在所述封装框架的目标管脚的第一表面，并贯穿所述目标管脚的第一表面，所述目标管脚对应所述封装框架的多个管脚中长度大于预设值的管脚。12.根据权利要求11所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述至少一个贯穿槽的数量为1个；在所述封装框架上设置至少一个贯穿槽的方法包括：确定所述封装框架中的目标管脚；在靠近所述目标管脚的中心位置刻蚀形成沿所述目标管脚的宽度方向延伸的贯穿槽。2CN115995442A权利要求书2/2页13.根据权利要求12所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中之一。14.根据权利要求11所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述至少一个贯穿槽的数量为2个或2个以上；在所述封装框架上设置至少一个贯穿槽的方法包括：确定所述封装框架中的目标管脚；沿所述目标管脚的长度方向刻蚀形成交替排布的至少一个第一贯穿槽和至少一个第二贯穿槽。15.根据权利要求14所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述至少一个第一贯穿槽中每个第一贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中之一，所述至少一个第二贯穿槽中每个第二贯穿槽的截面形状为正梯形和倒梯形的其中另一。3CN115995442A说明书1/6页封装框架、半导体封装结构及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及芯片封装技术领域，