封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763468A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211441631.8(22)申请日2022.11.17(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人季宏凯(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L25/18(2023.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图7页(54)发明名称封装结构及其制造方法(57)摘要本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括：基板；中介层，中介层位于基板上方；第一芯片，第一芯片位于中介层上方，第一芯片具有相对的第一面和第二面，第一面朝向中介层；第二芯片，第二芯片至少位于第一芯片远离中介层的表面上，第二芯片在基板表面的正投影面积小于第一芯片在基板表面的正投影面积，第二芯片具有相对的第三面和第四面，第三面朝向基板。至少可以解决封装结构的整体尺寸不具有统一标准的问题。CN115763468ACN115763468A权利要求书1/3页1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；中介层，所述中介层位于所述基板上方，所述中介层内具有贯穿所述中介层的多个第一导电结构，且所述第一导电结构与所述基板电连接；第一芯片，所述第一芯片位于所述中介层上方，所述第一芯片具有相对的第一面和第二面，所述第一面朝向所述中介层，所述第一芯片内具有第一焊盘和第二焊盘，且所述第一面露出所述第一焊盘，所述第二面露出所述第二焊盘，所述第一焊盘与部分所述第一导电结构电连接；第二芯片，所述第二芯片至少位于所述第一芯片远离所述中介层的表面上，所述第二芯片在所述基板表面的正投影面积小于所述第一芯片在所述基板表面的正投影面积，所述第二芯片具有相对的第三面和第四面，所述第三面朝向所述基板，所述第二芯片内具有第三焊盘和第四焊盘，所述第三面露出所述第三焊盘以及所述第四焊盘，所述第三焊盘与所述第二焊盘电连接，且所述第四焊盘还与部分所述第一导电结构电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片内还具有贯穿所述第一芯片的第三导电结构，且所述第三导电结构分别与所述第一焊盘和所述第二焊盘电接触。3.如权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片仅位于所述第一芯片远离所述中介层的表面上；其中，所述第一芯片内还具有电连接的第五焊盘和第六焊盘，所述第一面露出所述第五焊盘，所述第二面露出所述第六焊盘，所述第四焊盘与所述第六焊盘电接触，所述第五焊盘与部分所述第一导电结构电接触。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片内还具有贯穿所述第一芯片的第二导电结构，且所述第二导电结构分别与所述第五焊盘和所述第六焊盘电接触。5.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片位于所述第一芯片的边缘。6.如权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括：正对部，所述正对部仅位于所述第一芯片远离所述中介层的表面上，所述第三焊盘位于所述正对部的所述第三面；错开部，所述错开部突出于所述第一芯片的侧方，所述第四焊盘位于所述错开部的所述第三面；所述封装结构还包括：第四导电结构，所述第四导电结构位于所述第四焊盘与部分所述第一导电结构之间，且所述第四焊盘与部分所述第一导电结构电接触。7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：介质层，所述介质层位于所述错开部与所述中介层之间，且还位于所述第一芯片的侧面，其中，所述第四导电结构位于所述介质层内。8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述介质层的材料包括SiO2。9.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述介质层的厚度与所述第一芯片的厚度相同，所述介质层的厚度为20μm。10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括多个所述第二芯片，且每一所述第二芯片位于所述第一芯片的不同位置。11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：2CN115763468A权利要求书2/3页第一键合层，所述第一键合层位于所述中介层与所述第一芯片之间，且还覆盖所述第一焊盘侧面。12.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二键合层，所述第二键合层位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，且还位于所述第二焊盘以及所述第三焊盘的侧面。13.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层位于所述基板上方，且所述中介层、所述第一芯片以及所述第二芯片均位于所述塑封层