倒装芯片堆叠封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013899A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202211543724.1(22)申请日2022.12.01(71)申请人宁波泰睿思微电子有限公司地址315475浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴滨路5号(邻里中心)3-2-184(自主申报)(限办公)(72)发明人林文奎张伟伟林骏耀林殷帆(74)专利代理机构上海唯源专利代理有限公司31229专利代理师宋小光(51)Int.Cl.H01L23/538(2006.01)H01L25/04(2023.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称倒装芯片堆叠封装结构(57)摘要本发明公开了一种倒装芯片堆叠封装结构，包括堆叠封装体(1)和顶层封装体(2)；堆叠封装体包括底层基板(101)、第一金属球(102)、第一芯片(103)、第一封装体(104)和第二金属球(105)；第一芯片的底部通过若干个第一金属球电性连接在底层基板上，多层第一芯片依次由下至上堆叠设置；若干个第二金属球分布在多层第一芯片的四周，多层第一芯片及其第一金属球和若干个第二金属球通过第一封装体封装在底层基板的上表面上；顶层封装体叠设在第一封装体上，顶层封装体通过若干个第二金属球与底层基板电性连接。本发明能解决现有技术中芯片的叠层数量受限，存储器的容量不足的问题。CN116013899ACN116013899A权利要求书1/1页1.一种倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：包括堆叠封装体(1)和顶层封装体(2)；堆叠封装体(1)包括底层基板(101)、第一金属球(102)、第一芯片(103)、第一封装体(104)和第二金属球(105)；第一芯片(103)的底部通过若干个第一金属球(102)电性连接在底层基板(101)上，多层第一芯片(103)依次由下至上堆叠设置；若干个第二金属球(105)分布在多层第一芯片(103)的四周，多层第一芯片(103)及其第一金属球(102)和若干个第二金属球(105)通过第一封装体(104)封装在底层基板(101)的上表面上；顶层封装体(2)叠设在第一封装体(104)上，顶层封装体(2)通过若干个第二金属球(105)与底层基板(101)电性连接。2.根据权利要求1所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：所述的顶层封装体(2)包括顶层基板(201)、第三金属球(202)、第二芯片(203)和第二封装体(204)；第二芯片(203)通过若干个第三金属球(202)电性连接在顶层基板(201)的上表面上，顶层基板(201)的下表面通过若干个第二金属球(105)与底层基板(101)电性连接，第二芯片(203)及其第三金属球(202)通过第二封装体(204)封装在顶层基板(201)的上表面上。3.根据权利要求2所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：所述的顶层基板(201)上电性连接有元器件(205)，元器件(205)封装在第二封装体(204)内。4.根据权利要求1所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：位于上一层的所述的第一芯片(103)的宽度大于位于下一层的第一芯片(103)的宽度，使位于上一层的第一芯片(103)底部的若干个第一金属球(102)环绕分布在位于下一层的第一芯片(103)的四周。5.根据权利要求1或4所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：位于上一层的所述的第一芯片(103)底部的第一金属球(102)的高度大于位于下一层的第一芯片(103)底部的第一金属球(102)的高度，使相邻两层竖向堆叠的第一芯片(103)之间留有堆叠间隙。6.根据权利要求1所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：所述的第二金属球(105)的高度大于第一金属球(102)的高度，第一封装体(104)的高度与第二金属球(105)的高度一致。7.根据权利要求1或6所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：所述的第二金属球(105)和位于第二层及其以上的第一金属球(102)呈椭球状结构。8.根据权利要求1或2所述的倒装芯片堆叠封装结构，其特征是：所述的底层基板(101)的下表面上阵列分布有第四金属球(106)。2CN116013899A说明书1/4页倒装芯片堆叠封装结构技术领域[0001]本发明涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种倒装芯片堆叠封装结构。背景技术[0002]在逻辑电路和存储器集成领域，封装体叠层(PoP)已经成为业界的首选，主要应用于制造高端便携式设备和智能手机使用的先进移动通讯平台，这些应用带来了对PoP技术的巨大需求。对更小封装尺寸的要求，推动着焊球节距的不断缩小，顶层封装与底层封装的间隙高度在回流之后也会越来越小。目前，在这一方面所做的最大努力是将顶层封