一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013675A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202211646083.2(22)申请日2022.12.21(71)申请人宁波韵升股份有限公司地址315803浙江省宁波市鄞州区民安路348号申请人宁波韵升磁体元件技术有限公司(72)发明人吕向科刘世隆张民刘盛业欧阳习科毛应才竺晓东(74)专利代理机构宁波中致力专利代理事务所(普通合伙)33322专利代理师张圆薛月霞(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图7页(54)发明名称一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，包括如下步骤：制备主合金和辅合金薄片，所述辅合金薄片中具有弥散分布的高Fe成分的球状组织；然后将钕铁硼主合金R1FeBM薄片与含有高Fe成分球状组织的R2NT辅合金薄片进行混合；再经过氢碎、气流磨、成型和烧结时效处理工艺得到高性能无重稀土钕铁硼磁体。本发明中含有特殊结构的辅合金均匀分布在主合金周围，烧结且时效后形成包裹主相颗粒的光滑、连续且清晰富稀土层，从而实现了晶界结构的优化，最终显著提升磁体矫顽力。并且主辅合金中均不含有昂贵的重稀土元素，大幅降低了生产成本，可以被应用于大规模的制备与生产。CN116013675ACN116013675A权利要求书1/2页1.一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备主合金和辅合金薄片，所述辅合金薄片中具有弥散分布的高Fe成分的球状组织；然后将钕铁硼主合金R1FeBM薄片与含有高Fe成分球状组织的R2NT辅合金薄片进行混合；再经过氢碎、气流磨、成型和烧结时效处理工艺得到高性能无重稀土钕铁硼磁体。2.根据权利要求1所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼主合金质量比为R1xFe100‑x‑y‑zByMz，其中R1为Nd、La、Ce、Pr中的一种或多种，M为Al、Ti、Co、Cu、Ga、Zr、Nb、Hf、V中的一种或多种，按照重量占比26wt.％≤x≤31wt.％，0.86wt.％≤y≤1.00wt.％，0.1wt.％≤z≤5wt.％。3.根据权利要求2所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼主合金薄片采用速凝工艺，厚度为0.1mm‑0.5mm，晶界相占比为2％‑5％，晶界相宽度小于主相柱状晶宽度的2％。4.根据权利要求1所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述R2NT辅合金薄片质量比为R2aN100‑b‑aTb，其中N包含Fe且包含Al、Co、Cu、Ga中的一种或多种，T包含B且包含Ti、Zr、Nb、Hf、V中的一种或多种，R2包含Nd、Pr中的至少一种，按照重量占比26wt.％≤a≤50wt.％，0.1wt.％≤b≤8wt.％。5.根据权利要求4所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述R2NT辅合金薄片制备采用但不限于速凝工艺或快淬工艺，辅合金薄片厚度为0.01mm‑1mm。6.根据权利要求5所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述工艺为快淬工艺时，所述R2NT辅合金熔液以1m/s‑25m/s的速度制备成薄带。7.根据权利要求5所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，R2NT辅合金快淬工艺薄片制备优选在500℃‑900℃条件下真空退火2h‑24h。8.根据权利要求4所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述R2NT辅合金薄片占混合后总质量的比例为2％‑10％。9.根据权利要求1所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述高Fe成分球状组织中，55wt.％≤Fe含量≤95wt.％。10.根据权利要求9所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述高Fe成分球状组织占辅合金薄片的体积比为10％‑74％，且呈弥散分布。11.根据权利要求9所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述高Fe成分球状组织直径为0.1μm到200μm。12.根据权利要求11所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述高Fe成分球状组织优选直径为1μm到50μm。13.根据权利要求11所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述高Fe成分球状组织直径大于3.5μm的球状组织的体积占球状组织总体积的90％以上。14.根据权利要求1所述的一种高性能无重稀土钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，通过所述气流磨磨料制得表面积平均粒度(SMD)为2μm‑4μm的粉末。15.根据