用于晶圆自动旋转的装置及设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113838793A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202010589146.X(22)申请日2020.06.24(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人杨德赞杨华龙吴凤丽(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人林彦(51)Int.Cl.H01L21/687(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称用于晶圆自动旋转的装置及设备(57)摘要本揭露涉及用于晶圆自动旋转的装置及设备。在本揭露的一实施例中，一种晶圆旋转装置包含：晶圆支撑架，其经配置以沿晶圆的外周界承托并固持所述晶圆；以及旋转单元，其经配置以承托并固持所述晶圆支撑架，所述旋转单元与所述晶圆支撑架在加工期间保持相对位置固定。CN113838793ACN113838793A权利要求书1/1页1.一种晶圆旋转装置，其包含：晶圆支撑架，其经配置以沿晶圆的外周界承托并固持所述晶圆；以及旋转单元，其经配置以承托并固持所述晶圆支撑架，所述旋转单元与所述晶圆支撑架在加工期间保持相对位置固定。2.根据权利要求1所述的晶圆旋转装置，所述晶圆支撑架包含环状主体和突出部，所述突出部自所述环状主体的上方向心延伸以承托并固持所述晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含与所述晶圆的下方凹口相匹配的凸点。4.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含多个凸起元件。5.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含与所述环状主体同心的环状结构。6.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述晶圆支撑架包含陶瓷材料。7.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部的内边缘包含斜坡。8.一种晶圆加工设备，其包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且经由连杆延伸至所述腔室的外部下方；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套磁流体，其在所述腔室的外部下方固定连接至所述旋转单元支撑架且经由动力传递元件耦合至电机。9.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件位于所述双套磁流体下端。10.根据权利要求8或9所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含齿轮。11.根据权利要求8或9所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含同步带轮。12.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，所述双套磁流体包含内圈与外圈，所述内圈与所述外圈经配置以同步转动。13.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其中所述电机包含减速机且经由所述减速机与所述动力传递元件耦合。14.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其进一步包含连接制动器，所述连接制动器经配置以制动所述双套磁流体。15.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其中所述腔室包含真空腔室上盖。16.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其中所述旋转单元与所述晶圆支撑架在加工期间保持相对位置固定。17.根据权利要求16所述的晶圆加工设备，其中所述晶圆支撑架包含与所述晶圆的下方凹口相匹配的凸点。18.根据权利要求8所述的晶圆加工设备，其中所述腔室为真空腔室。2CN113838793A说明书1/4页用于晶圆自动旋转的装置及设备技术领域[0001]本揭露涉及半导体晶圆加工领域，尤其涉及半导体晶圆薄膜沉积及真空制造技术。背景技术[0002]半导体制程可包含沉积处理，例如化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等，用以在晶圆或基材上形成各种薄膜以制备半导体装置，例如集成电路及半导体发光装置。通常使用加热盘对晶圆加热以促进沉积处理。[0003]决定半导体器件性能的一个重要因素在于，沉积在晶圆上的薄膜均匀性。例如，均匀地沉积薄膜可使得晶圆表面的厚度变化达最小化。然而，膜均匀性可受到若干不利因素的影响，例如包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流非均匀性以及等离子体非均匀性等。这些因素均可能导致非均匀膜沉积在晶圆表面上，从而降低器件性能。特别地，在沉积过程中，晶圆受热不均匀可严重影响晶圆薄膜沉积的均匀性。[0004]为此，发展出使晶圆在沉积过程中在加热盘的上方旋转以获得均匀受热的技术，从而提升薄膜的均匀性。然而，现有的腔内晶圆旋转机构通常结构件较为复杂，运动过程中涉及的零部件较多，导致运动过程中容易在密封腔室内产生过多的颗粒物，这些颗粒物可对晶圆的薄膜质量造成严重影响。[0005]因此，有必要发展一种用于晶圆自动旋转的装置及设备，以解决上述问题。发明内容[0006]本申请的目的在于提供一