用于晶圆自动升降旋转的方法及设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113832450A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202010589125.8(22)申请日2020.06.24(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人杨德赞杨华龙吴凤丽(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人林彦(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/46(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称用于晶圆自动升降旋转的方法及设备(57)摘要本揭露涉及用于晶圆自动旋转的装置及设备。在本揭露的一实施例中，一种晶圆加工设备包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且连接至连杆并延伸至所述腔室的外部下方，所述加热盘包含多个晶圆支撑杆，所述连杆经由加热盘升降支架耦合至第一电机；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套磁流体，其在所述腔室的所述外部下方固定连接至所述旋转单元支撑架且经由极间距调整支架耦合至第二电机。CN113832450ACN113832450A权利要求书1/2页1.一种晶圆加工设备，其包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且连接至连杆并延伸至所述腔室的外部下方，所述加热盘包含多个晶圆支撑杆，所述连杆经由加热盘升降支架耦合至第一电机；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套磁流体，其在所述腔室的所述外部下方固定连接至所述旋转单元支撑架且经由极间距调整支架耦合至第二电机。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述加热盘升降支架与所述双套磁流体之间进一步包含小波纹管以环绕所述连杆。3.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述双套磁流体与所述腔室之间进一步包含大波纹管以环绕所述旋转单元支撑架。4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述双套磁流体进一步经由动力传递元件耦合至第三电机。5.根据权利要求4所述的晶圆加工设备，其中所述第三电机包含减速机且经由所述减速机与所述动力传递元件耦合。6.根据权利要求4所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件位于所述双套磁流体下端。7.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含齿轮。8.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含同步带轮。9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其中所述双套磁流体包含内圈与外圈，所内圈与所述外圈经配置以同步转动。10.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其进一步包含连接制动器，所述连接制动器经配置以制动所述双套磁流体。11.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其中所述腔室包含腔室上盖。12.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其中所述旋转单元与所述晶圆支撑架在加工期间保持相对位置固定。13.根据权利要求13所述的晶圆加工设备，其中所述晶圆支撑架包含与所述晶圆的下方凹口相匹配的凸点。14.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其中所述腔室为真空腔室。15.一种使用根据权利要求1-14所述的晶圆加工设备加工晶圆的方法，其包含：下降所述加热盘和所述旋转单元以使所述多个晶圆支撑杆相对所述加热盘升高；将所述晶圆移入所述腔室并放置在所述多个晶圆支撑杆上；升高所述旋转单元以承托并固持所述晶圆；调整所述晶圆距离上极板的位置；以及升高所述加热盘以加热所述晶圆并执行薄膜沉积。16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含在所述薄膜沉积后：下降所述加热盘和所述旋转单元，使所述多个晶圆支撑杆相对所述加热盘升高并支撑2CN113832450A权利要求书2/2页所述晶圆；以及从所述腔室取出所述晶圆。17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含使用与所述晶圆的下方凹口相匹配的凸点定位所述晶圆。18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含旋转所述旋转单元以带动所述晶圆支撑架和所述晶圆共同旋转。3CN113832450A说明书1/5页用于晶圆自动升降旋转的方法及设备技术领域[0001]本揭露涉及半导体晶圆加工领域，尤其涉及半导体晶圆薄膜沉积及真空制造技术。背景技术[0002]半导体制程可包含沉积处理，例如化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等，用以在晶圆或基材上形成各种薄膜以制备半导体装置，例如集成电路及半导体发光装置。通常使用加热盘对晶圆加热以促进沉积处理。[0003]决定半导体器件性能的一个重要因素在于，沉积在晶圆上的薄膜均匀性。例如，均匀地沉积薄膜可使得晶圆表面的厚度变化达最小化。然而