晶圆加工装置及晶圆加工方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954301A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310065972.8(22)申请日2023.01.16(71)申请人苏州桔云科技有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区星汉街5号A幢302(72)发明人洪成都曾麒文(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)32502专利代理师韩玲刘通(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称晶圆加工装置及晶圆加工方法(57)摘要本发明涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法。该晶圆加工装置包括：晶圆固定机构，包括设置于其顶部的真空吸盘，所述真空吸盘用于吸附固定晶圆；密封盖板，其环绕所述晶圆固定机构地设置于所述真空吸盘的下方，用于密封所述晶圆固定机构；多个氮气喷嘴，设置于所述密封盖板上，至少部分所述氮气喷嘴用于朝向所述晶圆的背面喷射氮气；其中，所述多个氮气喷嘴被构造为在所述晶圆的径向上由内向外地喷射氮气；以及控制单元，配置为在加工晶圆时控制所述多个氮气喷嘴实时地喷射氮气。本发明的晶圆加工装置能够很好地减少晶圆背面形成的脏污，且所耗费的氮气和清洗水较少，成本低。CN115954301ACN115954301A权利要求书1/1页1.一种晶圆加工装置，其特征在于，所述晶圆加工装置包括：晶圆固定机构，包括设置于其顶部的真空吸盘，所述真空吸盘用于吸附固定晶圆；密封盖板，其环绕所述晶圆固定机构地设置于所述真空吸盘的下方，用于密封所述晶圆固定机构；多个氮气喷嘴，设置于所述密封盖板上，至少部分所述氮气喷嘴用于朝向所述晶圆的背面喷射氮气；其中，所述多个氮气喷嘴被构造为在所述晶圆的径向上由内向外地喷射氮气；以及控制单元，配置为在加工晶圆时控制所述多个氮气喷嘴实时地喷射氮气。2.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，在所述密封盖板的一径向上，设置有至少两个间隔开的氮气喷嘴。3.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，位于径向内侧的氮气喷嘴的喷射口的高度高于位于径向外侧的氮气喷嘴的喷射口的高度。4.根据权利要求2或3所述的晶圆加工装置，其特征在于，在同一径向上的氮气喷嘴中，所述控制单元配置为控制径向内侧的氮气喷嘴的氮气喷射速度大于径向外侧的氮气喷嘴的氮气喷射速度。5.根据权利要求4所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述氮气喷嘴包括相互连通的竖直流道和倾斜流道，所述倾斜流道的一端与所述竖直流道连接，另一端倾斜向上地延伸以构成喷射口；其中，所述倾斜流道构造为锥形，在所述倾斜流道的所述一端朝向所述另一端的方向上，所述倾斜流道的横截面积越来越大。6.根据权利要求5所述的晶圆加工装置，其特征在于，当所述晶圆固定于所述真空吸盘时，在同一径向上的氮气喷嘴中，位于径向最外侧的氮气喷嘴不被所述晶圆覆盖。7.根据权利要求6所述的晶圆加工装置，其特征在于，在同一径向上的氮气喷嘴中，位于径向最外侧的氮气喷嘴的喷射口大于其他氮气喷嘴的喷射口。8.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，在所述密封盖板的同一径向上的氮气喷嘴构成为一组氮气喷嘴，在所述密封盖板的周向上，多组氮气喷嘴间隔开地设置。9.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括清洗水喷嘴，所述清洗水喷嘴设置于所述密封盖板上，用于朝向所述晶圆的背面喷射清洗水。10.一种晶圆加工方法，其特征在于，利用权利要求1至9中任一项所述的晶圆加工装置加工晶圆，其中，当晶圆开始加工时，控制所述多个氮气喷嘴一起实时地喷射氮气。2CN115954301A说明书1/5页晶圆加工装置及晶圆加工方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法。背景技术[0002]在晶圆的加工过程中，晶圆经常需要使用大量的显影液或化学品进行显影、清洗等工艺动作，大量的液体容易喷溅到晶圆背面，继而造成背面脏污。[0003]目前，通常在晶圆加工完成后，使用喷水喷嘴和喷气喷嘴对晶圆的正面和背面进行清洗。但是，由于此时晶圆背面的脏污已经凝结干涸，很难清洗干净，且会耗费大量的清洗水和氮气，成本较高，且若使用较大的水流或气流速度进行清洗，可能会导致晶圆被吹飞。[0004]在公告号为CN106711059B的专利中，其通过使用防护环去遮挡喷溅的液体，但是为了达到防护效果，防护环与晶圆之间的间隙设计的很小，使其安装精度要求很高，安装不便。同时，由于间隙很小，有较大的划伤晶圆背面、影响晶圆正常加工的风险。此外，防护环的设置，使得晶圆背面的清洗十分困难。发明内容[0005]基于现有技术中的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种晶圆加工装置及晶圆加工方法，其能够很好地减少晶圆背面形