靶材组件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103981495103981495A(43)申请公布日2014.08.13(21)申请号201310049972.5(22)申请日2013.02.07(71)申请人余姚康富特电子材料有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号(72)发明人潘杰姚力军王学泽高建(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图5页附图5页(54)发明名称靶材组件及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种靶材组件及其制备方法。所述靶材组件包括背板，所述背板包括背面和与背面相对的固定面，在所述背板内设有水路，所述靶材组件还包括：设置于所述背板背面的凹槽，所述凹槽与水路贯通，且凹槽截面宽度大于水路截面宽度，使凹槽截面与水路截面呈阶梯状；嵌于凹槽内的盖板，所述盖板置于阶梯部，并覆盖于所述水路上方。本发明中靶材组件，凹槽截面与水路截面呈阶梯状，且嵌于所述凹槽内的盖板至于所述阶梯部，所述阶梯部给所述盖板提供足够的支撑力，从而有效加强盖板覆盖于所述凹槽上方的固定强度。CN103981495ACN1039845ACN103981495A权利要求书1/2页1.一种靶材组件，包括：背板，所述背板包括背面和与背面相对的固定面；在所述背板内设有水路，其特征在于，还包括：设置于所述背板背面的凹槽，所述凹槽与水路贯通，且凹槽截面宽度大于水路截面宽度，使凹槽截面与水路截面呈阶梯状；嵌于凹槽内的盖板，所述盖板置于阶梯部。2.根据权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述盖板置于水路上方，所述水路呈密封状。3.根据权利要求2所述的靶材组件，其特征在于，所述水路呈线形状或圆形状。4.根据权利要求2所述的靶材组件，其特征在于，所述水路呈首尾相接的环状。5.根据权利要求4所述的靶材组件，其特征在于，位于靠近所述呈环状的水路的中心的内侧侧壁和/或外侧侧壁处，所述凹槽截面与水路截面呈阶梯状。6.根据权利要求1~5任一条所述的靶材组件，其特征在于，在所述盖板上设有贯穿所述盖板的水路进水口与水路出水口。7.根据权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，还包括：位于所述背板侧壁上的水路出水口和水路进水口。8.根据权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述水路横向贯穿背板侧壁。9.根据权利要求8所述的靶材组件，其特征在于，水路的一端为进水口，另一端为出水口。10.一种靶材组件的制备方法，其特征在于，提供背板，所述背板包括背面以及与背板相对的固定面；在所述背板的背面开设第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上方，且与第一凹槽贯通；所述第二凹槽的截面宽度大于所述第一凹槽的截面宽度，使得所述第一凹槽的截面与第二凹槽的截面呈阶梯状；在第二凹槽与第一凹槽连接的阶梯部放置盖板，在所述背板内形成水路。11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽为分两个步骤开设形成。12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：先采用铣床加工在所述背板的背面形成第一凹槽；之后，在所述第一凹槽的基础上，继续采用铣床加工拓宽所述第一凹槽上方的开口宽度，以形成第二凹槽。13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽过程中，采用铣床加工在所述背板的背面形成首尾相接的环形结构的第一凹槽；之后沿所述第一凹槽的延伸方向，采用铣床加工拓宽在所述第一凹槽一侧或是两侧的上端开口宽度，形成第二凹槽。14.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽为同一步骤开设形成。15.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括步骤：在所述第一凹槽和第二凹槽形成后，以钻头在所述背板的侧壁开设两个导通所述第一凹槽的通孔，作为水路的水路进水口和水路出水口。2CN103981495A权利要求书2/2页16.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括步骤：在盖板上形成水路进水口和水路出水口。17.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，采用搅拌摩擦焊使所述盖板与所述背板固定连接。3CN103981495A说明书1/6页靶材组件及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及在磁控溅射基片镀膜工艺中所使用的靶材组件及其制备方法。背景技术[0002]磁控溅射镀膜工艺中所使用的靶材组件由靶材和背板构成。在磁控溅射镀膜过程中，在10-9Pa的高真空环境下，靶材处于高达300℃至500℃的高压电场和磁场中，其正面由各种高能量离子轰击，溅射出中性靶原子或分子，所述中性靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。由于磁控溅