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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108346630A(43)申请公布日2018.07.31(21)申请号201710072523.0(22)申请日2017.02.10(30)优先权数据1061028952017.01.25TW(71)申请人矽品精密工业股份有限公司地址中国台湾台中市潭子区大丰路三段123号(72)发明人林长甫姚进财余国华周世民黄富堂(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314代理人程伟王锦阳(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称散热型封装结构(57)摘要一种散热型封装结构,通过于一设有电子元件的承载件上设置连接件,再将散热件设于该电子元件与该连接件上,以藉由该连接件提供支撑力或拉力而避免散热件与电子元件间发生脱层。CN108346630ACN108346630A权利要求书1/1页1.一种散热型封装结构,其特征为,该封装结构包括:承载件;电子元件,其设于该承载件上;连接件,其设于该承载件上;以及散热件,其设于该电子元件与该连接件上。2.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该散热件包含有散热体与设于该散热体上的支撑脚,该散热体结合该连接件与该电子元件,且该支撑脚结合于该承载件上,使该连接件位于该电子元件与该支撑脚之间。3.根据权利要求2所述的散热型封装结构,其特征为,该散热体与该支撑脚为一体成形或非一体成形。4.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该封装结构还包括设于该承载件上且用以结合该散热件的第一胶体。5.根据权利要求4所述的散热型封装结构,其特征为,该封装结构还包括设于该承载件上的第二胶体。6.根据权利要求5所述的散热型封装结构,其特征为,该第一胶体及该第二胶体相邻间隔设于该承载件上。7.根据权利要求5所述的散热型封装结构,其特征为,该连接件的高度大于该第一胶体及该第二胶体的高度。8.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该连接件位于该电子元件外围。9.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该承载件为封装基板或导线架。10.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该电子元件藉由结合层结合该散热件。11.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该连接件为导热材质或非导热材质。12.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该连接件为导电材质或非导电材质。13.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该连接件为刚性材或弹性材。14.根据权利要求1所述的散热型封装结构,其特征为,该承载件上设有多个该连接件,且部分该连接件为刚性材,而部分该连接件为弹性材。2CN108346630A说明书1/5页散热型封装结构技术领域[0001]本发明有关一种封装结构,尤指一种散热型封装结构。背景技术[0002]随着电子产品在功能及处理速度的需求的提升,作为电子产品的核心组件的半导体芯片需具有更高密度的电子元件(ElectronicComponents)及电子电路(ElectronicCircuits),故半导体芯片在运作时将随之产生更大量的热能,且包覆该半导体芯片的封装胶体为一种导热系数仅0.8Wm-1k-1的不良传热材质(即热量的逸散效率不佳),因而若不能有效逸散所产生的热量,则会造成半导体芯片的损害或造成产品信赖性问题。[0003]因此,为了迅速将热能散逸至大气中,通常在半导体封装结构中配置散热片(HeatSink或HeatSpreader),该散热片通常藉由散热胶(例如导热介面材(ThermalInterfaceMaterial),简称TIM)结合至芯片背面,以藉散热胶与散热片逸散出半导体芯片所产生的热量,再者,通常令散热片的顶面外露出封装胶体或直接外露于大气中为佳,俾取得较佳的散热效果。[0004]悉知TIM层为低温熔融的热传导材料(如焊锡材料),其设于半导体芯片背面与散热片之间,而为了提升TIM层与芯片背面之间的接着强度,需于芯片背面上覆金(即所谓的CoatingGoldOnChipBack),且需使用助焊剂(flux),以利于该TIM层接着于该金层上。[0005]如图1A所示,悉知散热型的半导体封装结构1的制法先将一半导体芯片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即透过导电凸块110与底胶111)设于一封装基板10上,且将一金层(图略)形成于该半导体芯片11的非作用面11b上,再将一散热件13以其顶片130藉由TIM层12(其包含焊锡层与助焊剂)回焊结合于该金层上,且该散热件13的支撑脚131藉由黏着层14架设于该封装基板10上。接着,进行封装压模作业,以供封装胶体(图略)包覆该半导体芯片11及散热件