一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109652759A(43)申请公布日2019.04.19(21)申请号201710946930.X(22)申请日2017.10.12(71)申请人上海和辉光电有限公司地址201506上海市金山区工业区九工路1568号(72)发明人高志豪(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人黄志华(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)C23C14/12(2006.01)C25D1/10(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板(57)摘要本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板，用于实现对与底板分离后的掩模层的应变进行限制，维持金属掩膜板的位置精度。在底板上涂布光刻胶；对光刻胶进行曝光显影形成具有第一开口的需求图案；在第一开口内沉积金属形成电铸层；去除剩余光刻胶，得到掩膜层，掩膜层包括至少一个电铸画素区和电铸主体区；电铸画素区包括至少一个第二开口和隔开各第二开口的电铸连接桥；将电铸主体区贴合于支撑框架包括的平板上，且至少一个电铸画素区与第三开口对齐；将掩膜层与底板分离，得到金属掩膜板。如此，掩膜层与底板分离时，平板可以为电铸层提供支撑力，限制金属掩膜板的变形，维持金属掩膜板的位置精度。CN109652759ACN109652759A权利要求书1/2页1.一种金属掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：在底板上涂布光刻胶；对所述底板上的光刻胶进行曝光显影形成具有第一开口的需求图案；在所述第一开口内沉积金属形成电铸层；去除所述底板上的光刻胶，得到掩膜层；所述掩膜层包括至少一个电铸画素区和电铸主体区；每个电铸画素区包括至少一个第二开口和隔开各第二开口的电铸连接桥；将所述电铸主体区贴合于支撑框架包括的平板上，且将所述至少一个电铸画素区与所述支撑框架包括的第三开口对齐；将所述掩膜层与所述底板分离，得到贴合于所述支撑框架上的金属掩膜板。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑框架包括至少一个第三开口，且所述至少一个第三开口与所述至少一个电铸画素区一一对应；每个所述第三开口的面积大于等于与所述第三开口对应的电铸画素区的面积；所述将所述至少一个电铸画素区与所述支撑框架包括的第三开口对齐，包括：针对所述至少一个电铸画素区中每个电铸画素区，将所述电铸画素区与该电铸画素区对应的第三开口对齐。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述电铸主体区贴合于支撑框架的平板上，包括：通过焊接或胶水联合的方式将电铸主体区贴合于支撑框架的平板上。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述电铸主体区贴合于支撑框架的平板上之前，还包括：在支撑框架上贴合掩膜层的背面的第三开口的内缘制作斜面，所述斜面与所述平板的夹角为钝角。5.如权利要求1至4任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述金属掩膜板上设置有对位标记；所述将所述掩膜层与所述底板分离，得到固定于所述支撑框架上的金属掩膜板之后，还包括：将所述金属掩膜板固定于掩膜外框上；将所述掩膜外框固定于蒸镀源上方的支撑台上，且所述金属掩膜板上的对位标记与待蒸镀有机发光材料的基板上的对位标记对齐。6.一种金属掩膜板，其特征在于，包括：支撑框架和掩膜层；所述掩膜层包括至少一个电铸画素区和电铸主体区；所述每个电铸画素区包括至少一个第二开口和隔开各第二开口的电铸连接桥；所述支撑框架包括平板和至少一个第三开口；所述第三开口与所述电铸画素区一一对应；所述电铸主体区贴合于所述平板上，且所述电铸画素区与该电铸画素区对应的第三开口对齐。7.如权利要求6所述的金属掩膜板，其特征在于，每个所述第三开口的面积大于等于与所述第三开口对应的电铸画素区的面积。8.如权利要求6所述的金属掩膜板，其特征在于，所述电铸主体区贴合于所述平板上的2CN109652759A权利要求书2/2页贴合方式为焊接或胶水联合。9.如权利要求6所述的金属掩膜板，其特征在于，所述支撑框架还包括位于所述支撑框架上贴合掩膜层的背面的第三开口的内缘的斜面，所述斜面与所述平板的夹角为钝角。10.如权利要求6至9任一权利要求所述的金属掩膜板，其特征在于，还包括对位标记；所述对位标记，用于：在需要蒸镀有机发光材料时，将所述金属掩膜板上的对位标记与待蒸镀有机发光材料的基板上的对位标记对齐。3CN109652759A说明书1/5页一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板技术领域[0001]本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板。背景技术[0002]有机电致发光二极管(OrganicLight-emitting