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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102576802A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102576802A(43)申请公布日2012.07.11(21)申请号201080041456.2玛丽娜·A·彼得鲁希娜(22)申请日2010.09.16(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227(30)优先权数据61/243,9272009.09.18US代理人蔡胜有吴鹏章(85)PCT申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.H01L51/00(2006.01)2012.03.16H01L51/50(2006.01)(86)PCT申请的申请数据C07F1/08(2006.01)PCT/EP2010/0636192010.09.16(87)PCT申请的公布数据WO2011/033023EN2011.03.24(71)申请人欧司朗光电半导体有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人冈特·施密德扬·豪克·韦姆肯权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1616页页附图附图55页(54)发明名称有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂(57)摘要本发明提供了一种有机电子器件,其包含衬底、布置在衬底上的第一电极,布置在第一电极上的至少第一功能化有机层和布置在第一功能化有机层上的第二电极。所述第一功能化有机层包含基质材料以及基质材料的p-掺杂剂,其中p-掺杂剂包含含至少一个具有下式的配体L的铜配合物:其中E1和E2可以是相同或不同的且表示氧、硫、硒或NR’,其中R表示氢、或取代或未取代的支化、线性或环状的烃,其中R’表示氢、或取代或未取代的支化、线性或环状的烃。本发明进一步提供了一种用于掺杂有机半导体基质材料的多核铜配合物,其包含至少两个铜原子以及桥接这两个铜原子的所述配体L中的至少之一。CN1025768ACN102576802A权利要求书1/2页1.一种有机电子器件,其包含:-衬底-布置在所述衬底上的第一电极,-布置在所述第一电极上的至少第一功能化有机层,-布置在所述第一功能化有机层上的第二电极,-其中所述第一功能化有机层包含基质材料以及所述基质材料的p-掺杂剂,其中所述p-掺杂剂包含铜配合物,所述铜配合物包含至少一个具有下式的配体L:其中E1和E2可以是相同或不同的,且表示氧、硫、硒或NR’,其中R表示氢、或者取代或未取代的支化、线性或环状的烃,其中R’表示氢、或者取代或未取代的支化、线性或环状的烃。2.根据前述权利要求的有机电子器件,其中所述铜配合物为多核配合物。3.根据前述权利要求的有机电子器件,其中所述铜配合物的至少一个配体L桥接两个铜原子。4.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中含在所述铜配合物中的铜原子至少部分呈+2的氧化态。5.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中含在所述铜配合物中的铜原子至少部分呈+1的氧化态。6.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中所述配体L的基团R表示带有至少一个吸电子取代基的烷基和/或芳基。7.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中所述第一功能化层为空穴传输层。8.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中所述第一功能化层为电子阻挡层。9.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中在所述第一功能化有机层的基质材料中包含有机化合物,所述有机化合物与所述铜配合物部分配位。10.根据前述权利要求的有机电子器件,其中所述有机化合物含至少两个配位位点,其中至少部分所述有机化合物的所述至少两个配位位点与铜原子配位,以形成多个铜配合物和所述有机化合物的多个分子的链状结构或网状结构。11.根据前述权利要求的有机电子器件,其中所述有机电子器件选自包含场效应晶体管、太阳能电池、光电探测器、有机电子元件、发光二极管和显示器的组。12.根据前述权利要求中任一项的有机电子器件,其中所述第一功能化有机层可通过将所述铜配合物和所述基质材料同时蒸发而获得。13.一种用于掺杂有机半导体基质材料的多核铜配合物,其包含至少两个铜原子以及至少一个桥接这两个铜原子的配体L,其中配体L具有下式:2CN102576802A权利要求书2/2页其中E1和E2相互独立地表示氧、硫、硒或NR’,其中R’表示氢、或者取代或未取代的支化、线性或环状的烃,其中R表示取代或未取代的支化、线性或环状的带有至少一个吸电子取代基的烷基或芳基,尤其表示氟化或全氟化的芳族或脂族取代基,其条件是R不表示CF3。14.根据权利要求13的多核铜配合物,其包含4或6个铜原子。15.根据权利要求13或14的多核铜配合物,其中R含至少两个碳原子。3CN102576802A说明书1/16页有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂[0001]本发明公开内容涉及一种含有铜配合物作为用于掺杂有机半导体基质材料的P-掺杂剂