含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103987715103987715A(43)申请公布日2014.08.13(21)申请号201280060083.2(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2012.11.30利商标事务所11038代理人李英(30)优先权数据2011-2689182011.12.08JP(51)Int.Cl.C07D487/22(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09K11/06(2006.01)2014.06.06H01L29/786(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L51/05(2006.01)PCT/JP2012/0810452012.11.30H01L51/30(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L51/42(2006.01)WO2013/084805JA2013.06.13(71)申请人新日铁住金化学株式会社地址日本东京(72)发明人轴丸真名权权利要求书2页利要求书2页说明书18页说明书18页附图3页附图3页(54)发明名称含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件(57)摘要提供一种具有高电荷迁移率、溶剂可溶性、氧化稳定性、良好的制膜性的含氮杂环化合物及含有其的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机半导体元件。含氮杂环化合物由下述通式(1)表示，有机半导体材料含有该含氮杂环化合物。另外，为使用了该含氮杂环化合物的有机半导体元件等电子器件，该有机半导体元件具有含有上述含氮杂环化合物的有机半导体材料作为薄膜层。有机电子器件有：有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器等大面积传感器、液晶显示器、电子纸及有机EL面板等。CN103987715ACN1039875ACN103987715A权利要求书1/2页1.一种含氮芳香族杂环化合物，其由下述通式(1)表示，式中，R分别独立地表示氢、碳数1～30的脂肪族烃基、碳数3～50的芳香族基团、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基，R中的至少1个表示碳数3～50的芳香族基团、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基；n表示1～4的整数。2.根据权利要求1所述的含氮芳香族杂环化合物，其特征在于，其包含下述通式(2)表示的化合物，式中，R与通式(1)中的R的意义相同。3.一种含氮芳香族杂环化合物，其由下述通式(3)表示，2CN103987715A权利要求书2/2页式中，X表示卤素原子、羟基、硼酸、硼酸酯或磺酰基；n与通式(1)中的n的意义相同。4.一种下述通式(1)所示的含氮芳香族杂环化合物的制造方法，其特征在于，使下述通式(3)所示的含氮芳香族杂环化合物和下述通式(4)所示的化合物进行反应，式(1)中，R分别独立地表示氢、碳数1～30的脂肪族烃基、碳数3～50的芳香族基团、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基，R中的至少1个表示碳数3～50的芳香族基、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基；n表示1～4的整数，式(3)中，X表示卤素原子、羟基、硼酸、硼酸酯、或磺酰基；n与通式(1)中的n的意义相同，式(4)中，R与通式(1)中的R的意义相同，Y为与X反应而进行离去的官能团。5.一种有机半导体材料，其特征在于，含有权利要求1所述的含氮芳香族杂环化合物。6.一种有机半导体膜，其特征在于，由权利要求5所述的有机半导体材料形成。7.一种有机半导体膜，其特征在于，经过如下工序而形成：将权利要求5所述的有机半导体材料溶解于有机溶剂、调制了的溶液进行涂布·干燥。8.一种有机电子器件，其特征在于，使用权利要求5所述的有机半导体材料。9.根据权利要求8所述的有机电子器件，其中，有机电子器件为发光元件、薄膜晶体管或光电动势元件的任一种。10.根据权利要求8所述的有机电子器件，其中，有机电子器件为薄膜晶体管或光电动势元件的任一种。11.根据权利要求8所述的有机电子器件，其中，有机电子器件为有机薄膜晶体管。3CN103987715A说明书1/18页含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件技术领域[0001]本发明涉及一种新型的含氮芳香族化合物及含有其的有机半导体材料、使用该有机半导体材料而得到的有机半导体膜及有机薄膜晶体管等有机电子器件。背景技术[0002]通常，就使用无机半导体材料的硅的半导体器件而言，在其薄膜形成中，高温工艺和高真空工艺为必须的。由于需要高温工艺，所以无法将硅在塑料基板上