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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103890107103890107A(43)申请公布日2014.06.25(21)申请号201280051982.6(51)Int.Cl.(22)申请日2012.10.12C09D11/03(2014.01)H01L21/265(2006.01)(30)优先权数据13/2800772011.10.24US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.04.23(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0598472012.10.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/062788EN2013.05.02(71)申请人霍尼韦尔国际公司地址美国新泽西州(72)发明人周理古R.A.斯皮尔R.Y-K.梁樊文亚H.X.徐L.M.梅廷A.S.布哈纳普(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人赵苏林杨思捷权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图8页附图8页(54)发明名称用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物,以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法(57)摘要提供用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物,以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法。在示例性实施方案中,掺杂剂油墨组合物包含掺杂剂化合物,该掺杂剂化合物包括至少一个连接至13族或15族元素的烷基。此外,该掺杂剂油墨组合物包括含硅化合物。CN103890107ACN103897ACN103890107A权利要求书1/1页1.掺杂剂油墨组合物,包含:由掺杂剂化合物和含硅化合物形成的掺杂剂-硅酸盐载体,其中所述掺杂剂化合物包含至少一个连接至13族元素或15族元素的烷基,和其中所述掺杂剂化合物和所述含硅化合物通过硅-氧-掺杂剂离子键连接在一起;和至少一种溶剂。2.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中选择溶剂以配制选自喷墨油墨、丝网印刷糊和旋涂掺杂剂的产品。3.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂-硅酸盐载体和溶剂形成在室温下稳定至少两周的非水性混合物。4.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物为磷酸烷基酯,并具有以下分子式:(R1O)(R2O)P(O)(OR3)其中R1、R2和R3各自为氢或具有1至20个碳原子的烃基。5.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物为硼酸烷基酯,并具有以下分子式:(R1O)B(OR2)(OR3)其中R1、R2和R3各自为氢或具有1至20个碳原子的烃基。6.掺杂剂油墨组合物,包含:含有至少一个连接至15族元素的烷基的掺杂剂化合物;和含硅化合物。7.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,其中所述含硅化合物具有以下分子式:1122RO(Si(OR)2O)n(MMSiO)mOR其中R、R1和R2各自为氢或具有1至10个碳原子的碳基团;和其中M1和M2各自为氢、具有1至10个碳原子的碳基团,或羟基或具有1至10个碳原子的烷氧基。8.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,进一步包含沸点大于200℃的第一种溶剂,和沸点大于140℃的第二种溶剂。9.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物和所述含硅化合物经由硅-氧-15族元素键连接在一起。10.用于制造在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物的方法,该包含:提供包含至少一个连接至13族元素或15族元素的烷基的掺杂剂化合物;提供含硅化合物;和使掺杂剂化合物和含硅化合物混合,以及形成包括硅-氧-掺杂剂离子键的掺杂剂-硅酸盐载体。2CN103890107A说明书1/6页用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物,以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法技术领域[0001]本文件总体上涉及用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物以及用于制造这种油墨组合物的方法,和更具体地涉及具有降低的外扩散(out-diffusion)、改善的室温稳定性和/或可靠的喷墨喷射以及准确的基底图案打印的掺杂剂油墨组合物,以及用于制造这种油墨组合物的方法。背景技术[0002]导电性决定型杂质掺杂剂组合物,例如硼硅酸盐和磷硅酸盐,广泛地用于掺杂半导体基底以形成pn结和接触区域。在一些应用中,设计掺杂硅酸盐以执行其它功能,例如用作阻隔区域、绝缘区域等。在例如太阳能电池的应用中,理想的是以具有极细线条或特征的图案掺杂半导体基底。[0003]近年来,半导体生产已经使用非接触式打印机,例如喷墨系统,以将掺杂硅酸盐打印到半导体基底上。典型地,将掺杂硅酸盐打印在所需区域中,然后例如通过快速热退火进行热处理,以引起掺杂剂扩散进入所需区域处的半导体基底。但是,在加工期间,掺杂剂可能扩散出所需区域,进入不希望的区域。掺杂剂的这种外扩散可能显著影响所得半导体器件的电学特性,特别是对