用于包含有机半导体层的电子器件的电极.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111247653A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号201880068690.0(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2018.09.11利商标事务所11038代理人宓霞(30)优先权数据17190868.42017.09.13EP(51)Int.Cl.H01L51/10(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.04.22(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2018/0743782018.09.11(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/052978EN2019.03.21(71)申请人弗莱克因艾伯勒有限公司地址英国剑桥(72)发明人D·斯巴洛P·米希凯维奇M·詹姆斯权利要求书3页说明书52页附图3页(54)发明名称用于包含有机半导体层的电子器件的电极(57)摘要本申请涉及有机电子器件，所述电子器件包含多层电极以及有机半导体层，还涉及生产这样的有机电子器件的方法。CN111247653ACN111247653A权利要求书1/3页1.有机电子器件，其包含-一个或多个电极，所述电极包含第一电极层和基本上覆盖第一电极层的第二电极层；和-有机半导体层，其中所述第一电极层包含第一金属，所述第一金属选自铬、钼、钨和任何这些金属的任何掺混物；并且其中所述第二电极层包含第二金属，所述第二金属选自适合无电镀覆到所述第一金属上的任何金属或金属掺混物。2.根据权利要求1的有机电子器件，其中第二金属选自银、具有至少4.9eV的功函Φ的金属和任何这些金属的任何掺混物。3.根据权利要求1或2的有机电子器件，其中第二金属选自银、钴、铑、铱、镍、钯、铂、金和任何这些金属的任何掺混物；优选选自银、钴、铱、镍、钯、铂、金和任何这些金属的任何掺混物；更优选选自银、铱、镍、钯、铂、金和任何这些金属的任何掺混物；再更优选选自银、钯、铂、金和包含这种金属的任何掺混物。4.根据前述权利要求中任一项或多项的有机电子器件，其中第二金属是银。5.根据前述权利要求中任一项或多项的电子器件，其中所述一个或多个电极包含基本上覆盖第二电极层的第三电极层，所述第三电极层是自组装单层。6.根据前述权利要求中任一项或多项的电子器件，其中所述一个或多个电极包含基本上覆盖第二电极层的第三电极层，所述第三电极层是由选自下列式(I)至(III)的结构部分的结构部分组成的自组装单层其中1aababaabX在每次出现时独立地选自-X-、-X-X-、-C(＝X)-X-、-XO3-、-X-XO3-、-PO2H-和-PO3H-；Xa和Xb在每次出现时独立地为S或Se；a是0或1；Sp在每次出现时独立地为式(IV)的基团b、c、d和e在每次出现时独立地为0、1或2，条件是如果a是1，则b、c、d和e的总和为至少1；Ar1是对亚苯基或其中一个或多个碳环原子被N取代的对亚苯基；2R在每次出现时独立地选自-CH2-、-CHF-和-CF2-；2CN111247653A权利要求书2/3页R1在每次出现时独立地为有机基团或有机杂化基团；1115X选自-CH2-、-CF2-和芳族C-R；12X选自-CH2-、-CF2-和-C(＝O)-；1316X选自-CH2-、-CF2-和N-R；141713161417X选自-CH2-、-CF2-、-C(＝O)-和N-R；条件是X是N-R或X是N-R；R11和-如果存在的-R16互相独立地选自H、F、甲基、乙基、其中一个或多个氢被氟替代的11116甲基、其中一个或多个氢被氟替代的乙基和如上文定义的-(Sp)a-X-*，条件是R和R的至1131511161少一个是-(Sp)a-X-*，且条件是如果X是N-R，则R和R不都是-(Sp)a-X-*；R12、R13、R14、R15和R17互相独立地选自H、F、甲基、乙基、其中一个或多个氢被氟替代的甲基、其中一个或多个氢被氟替代的乙基，且R12、R13、R14、R15和R17的两个或三个相邻基团可一起形成具有总共6至24个芳环原子的脂族或芳族环系；X21、X22和X23互相独立地选自-N(H)-、-N＝、＝N-、-C(R23)＝、＝C(R23)-和-S-，其中X21、X22和X23的至少一个不同于-C(R23)＝和＝C(R23)-；R21和R22互相独立地为F、Cl或具有1至15个C原子的直链或支化的烷基，其中一个或多个不相邻C原子任选被-O-、-S-、-NR§-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR§＝CR§§-或-C≡C-替代，并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN替代，或是指未取代或被一个或多个非芳族基团R24取代的具有2至30个C原子的芳基、杂芳基、