有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的组合物.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115804267A(43)申请公布日2023.03.14(21)申请号202180045206.4(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/25978(22)申请日2021.06.188EN2021.12.30(30)优先权数据(71)申请人诺瓦尔德股份有限公司20181386.22020.06.22EP地址德国德累斯顿20181398.72020.06.22EP(72)发明人马克斯·皮特·努尔伦20181408.42020.06.22EP本杰明·舒尔策20203457.52020.10.22EP雅各布·亚切克·乌达尔奇克20203463.32020.10.22EP马丁·安曼皮埃尔·塞登格兰兹20203460.92020.10.22EP(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限20203458.32020.10.22EP责任公司1121920203447.62020.10.22EP专利代理师郭国清宫方斌PCT/EP2021/0659492021.06.14EP(51)Int.Cl.(85)PCT国际申请进入国家阶段日H10K85/60(2023.01)2022.12.22H10K50/11(2023.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2021/0666052021.06.18权利要求书4页说明书38页附图2页(54)发明名称有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的组合物(57)摘要本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含异构化合物的混合物。CN115804267ACN115804267A权利要求书1/4页1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层布置在所述阳极层与所述阴极层之间；并且其中所述至少一个有机半导体层包含一种组合物，所述组合物包含式(I)化合物和至少一种式(II)化合物其中‑B1选自式(IIIa)‑B2选自式(IIIb)‑B3选自式(IIIc)其中135A、A和A独立地选自CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基或C2至C18杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且246A、A和A独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基或取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且所述式(I)化合物不同于所述式(II)化合物。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述组合物包含多于一种的式(II)化合物，它们彼此都不同并且都不同于所述式(I)化合物。3.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述组合物包含式(I)化合物和至少一种2CN115804267A权利要求书2/4页式(IIa)至(IId)的化合物2464.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个A、A和A选自C6至C12芳基或取代或未取代的C3至C12杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电子器件，其中A2、A4和A6中的至少一个选自取代或未取代的苯基、吡啶基或嘧啶基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机电子器件，其中A1、A3和A5独立地选自CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基或C3至C12杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。3CN115804267A权利要求书3/4页7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中A2、A4和A6中的至少一个被至少一个CF3、OCF3或CN基团或至少两个F原子取代。8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机电子器件，其中A2、A4和A6中的至少一个被完全取代。9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机器件，其中A1、A3和A5中的至少一个是CN。10.根据权利要求1至9中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件包含至少一个光活性层并且所述至少一个有机半导体层中的至少一个布置在所述阳极与所述至少一个光活性层之间。11.根据权利要求1至10中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件包含至少两个光活性层，其中所述至少