原子层沉积设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116005136A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310081934.1(22)申请日2023.01.16(71)申请人深圳市原速光电科技有限公司地址518000广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区群辉路1号优创空间1号楼102(72)发明人请求不公布姓名(74)专利代理机构深圳中细软知识产权代理有限公司44528专利代理师全玥(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称原子层沉积设备(57)摘要本发明涉及原子层沉积设备技术领域，涉及一种原子层沉积设备，其包括反应室、基片架、承载装置和供气装置；承载装置包括承载件和旋转组件，承载件可转动地容置于反应腔内，基片架设于承载件上，旋转组件分别连接于反应室和承载件并用于驱动承载件旋转；供气装置包括进气组件和排气组件，进气组件和排气组件分别连通于反应腔，且进气组件用于朝向基片架输送反应气体，排气组件用于排出反应腔内的尾气。在本实施例的原子层沉积设备中，通过设置承载装置和供气装置配合，可以在一次加工过程中驱使基片架与多种不同的反应物接触反应，并且无需再经历冲洗过程，整体加工效率和加工数量得以提高，并且结构紧凑，占用空间小，使用效果好。CN116005136ACN116005136A权利要求书1/1页1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：反应室，内部设有反应腔；基片架，用于承载待加工样品，所述基片架可活动地容置于所述反应腔内；承载装置，包括承载件和旋转组件，所述承载件可转动地容置于所述反应腔内，所述基片架设于所述承载件上，所述旋转组件分别连接于所述反应室和所述承载件并用于驱动所述承载件旋转；供气装置，包括进气组件和排气组件，所述进气组件和所述排气组件分别连通于所述反应腔，且所述进气组件用于朝向所述基片架输送反应气体，所述排气组件用于排出所述反应腔内的尾气。2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应室包括多个进气口，所述进气组件包括进气管路和保护气管路，所述进气管路和所述保护气管路分别连接于所述进气口，所述进气管路的数量为多个，且多个所述进气管路用于分别朝向所述基片架输送不同的反应气，所述保护气管路用于朝向所述基片架输送保护气。3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述进气组件的数量为多组，且所述保护气管路位于相邻两组所述进气组件中的所述进气管路之间。4.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应室还设有排气口，所述进气口连通于所述反应腔的外圆周壁上，所述排气口设于所述反应腔的外圆周壁和所述反应腔的中心轴线之间。5.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应室包括室本体和活动连接于所述室本体的腔门，所述腔门用于密封所述反应腔，且所述腔门的内壁与所述反应腔的内壁弧形连接。6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述室本体包括可拆卸连接的底板、侧板和顶板，所述侧板分别连接于所述底板和所述顶板之间。7.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括控制模块；所述原子层沉积设备还包括信号连接于所述控制模块的温控组件，所述温控组件设于所述反应腔内并用于对所述基片架进行加热。8.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述温控组件包括分别信号连接于所述控制模块的加热器和温度传感器，所述加热器用于对所述基片架进行加热，所述温度传感器用于获取所述基片架的温度信号。9.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载件设有多个加工工位，每一个所述加工工位上各连接有至少一个所述基片架，所述温控组件的数量为多组，且每一组所述温控组件各设于一个所述加工工位上，所述温控组件通过导电滑环与所述控制模块电性连接，且所述导电滑环连接于所述反应室。10.根据权利要求1‑9任意一项所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载装置还包括回转组件，所述回转组件设于所述承载件上，且所述基片架设于所述回转组件上，所述回转组件用于驱使所述基片架相对于所述承载件旋转。11.根据权利要求10所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述回转组件包括回转架和回转驱动件，所述回转架可转动地连接于所述承载件，所述回转驱动件用于驱动所述回转架相对于所述承载件旋转。2CN116005136A说明书1/6页原子层沉积设备技术领域[0001]本发明涉及原子层沉积设备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积设备。背景技术[0002]原子层沉积(AtomicLayerDeposition或ALD)技术由于具有沉积均匀性好，台阶覆盖率高，沉积厚度精准可控，膜质高，杂质少等优点