半导体结构、半导体元件及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108962855A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201710631118.8(22)申请日2017.07.28(30)优先权数据15/598,3042017.05.17US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市泰山区南林路98号(72)发明人林柏均朱金龙(74)专利代理机构北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279代理人王正茂丛芳(51)Int.Cl.H01L23/482(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图7页(54)发明名称半导体结构、半导体元件及其形成方法(57)摘要本发明公开了一种半导体结构、半导体元件及其形成方法。半导体元件包含两个彼此横向连接的半导体结构，且各半导体结构包含半导体基板以及第一导电凸块。半导体基板具有集成电路以及互连金属层，其中斜角表面形成在半导体基板的边缘上。第一导电凸块经由互连金属层电性连接至集成电路，并位于斜角表面上，其中第一导电凸块的轮廓延伸超出半导体基板的边缘的侧表面。此两个半导体结构通过其相接合的第一导电凸块横向连接。本发明的半导体元件，能够建立与导电凸块的横向连接，以节省成本。CN108962855ACN108962855A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，包含：半导体基板，具有集成电路以及互连金属层，其中斜角表面形成在所述半导体基板的边缘上；以及第一导电凸块，经由所述互连金属层电性连接至所述集成电路，并位于所述斜角表面上，其中所述第一导电凸块的轮廓延伸超出所述半导体基板的所述边缘的侧表面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，半导体基板还包含：基板；保护层，位于所述基板上；第一导体层，位于所述保护层上；以及第二导体层，位于所述保护层以及所述第一导体层上，其中所述第二导体层电性连接至所述第一导体层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述基板具有倾斜面，部分所述第一导体层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分位于所述基板的所述倾斜面上，所述第二部分位于所述基板的水平上表面上，且所述第一导体层的所述第一部分的上表面为所述斜角表面。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包含重分布层。5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含：多个第二导电凸块，位于所述半导体基板的上表面上，且电性连接至所述第二导体层。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，各所述第二导电凸块的最大垂直高度大于所述第一导电凸块的最大垂直高度。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包含：印刷电路板，具有多个焊垫，所述多个焊垫接触并电性连接至所述多个第二导电凸块，而不接触所述第一导电凸块。8.一种半导体元件，其特征在于，包含：两个彼此横向连接的半导体结构，且各所述半导体结构包含：半导体基板，具有集成电路以及互连金属层，其中斜角表面形成在所述半导体基板的边缘上；以及第一导电凸块，经由所述互连金属层电性连接至所述集成电路，并位于所述斜角表面上，其中所述第一导电凸块的轮廓延伸超出所述半导体基板的所述边缘的侧表面；其中所述两个半导体结构通过各所述半导体结构的所述第一导电凸块相互接合而达到彼此横向连接。9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，半导体基板还包含：基板；保护层，位于所述基板上；第一导体层，位于所述保护层上；以及第二导体层，位于所述保护层以及所述第一导体层上，其中所述第二导体层电性连接至所述第一导体层。10.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，所述基板具有倾斜面，部分所述第一导体层具有第一部分以及第二部分，所述第一部分位于所述基板的所述倾斜面上，所述第2CN108962855A权利要求书2/2页二部分位于所述基板的水平上表面上，且所述第一导体层的所述第一部分的上表面为所述斜角表面。11.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，所述保护层包含重分布层。12.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，还包含：多个第二导电凸块，位于各所述半导体基板的上表面上，且电性连接至所述第二导体层。13.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，各所述第二导电凸块的最大垂直高度大于所述第一导电凸块的最大垂直高度。14.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，还包含：印刷电路板，具有多个焊垫，所述多个焊垫接触并电性连接至所述多个第二导电凸块，而不接触所述第一导电凸块。15.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：在至少一个半导体基板的边缘上形成斜角表面，其中各所述半导体基板具有集成电路以及互连金属层；以及在所述斜角表面上形成第一导电凸块，其中所述第一导电凸