喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115116844A(43)申请公布日2022.09.27(21)申请号202210269414.9C23C16/52(2006.01)(22)申请日2022.03.18B08B5/02(2006.01)(30)优先权数据2021-0465732021.03.19JP(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人花岛建夫原田和宏牛田卓朗(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师陈彦李宏轩(51)Int.Cl.H01L21/31(2006.01)H01L21/67(2006.01)C23C16/44(2006.01)C23C16/455(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图5页(54)发明名称喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质(57)摘要本申请涉及喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本申请通过将清洁后的残留元素有效地除去，从而减少成膜处理中的膜厚变动。本申请提供一种喷嘴的清洁方法，在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出后，具有：(a)向多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序和(b)向进行了所述(a)工序后的至少一个喷嘴向供给含有氢和氧的气体的工序。CN115116844ACN115116844A权利要求书1/2页1.一种喷嘴的清洁方法，在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出之后，具有：(a)向所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序和(b)向进行了所述(a)工序后的所述至少一个喷嘴供给含有氢和氧的气体的工序。2.根据权利要求1的方法，其中，在所述(a)工序中，不向所述多个喷嘴中的所述至少一个喷嘴以外的喷嘴供给所述清洁气体。3.根据权利要求1的方法，其中，所述(a)工序中，向所述多个喷嘴中的所述至少一个喷嘴以外的喷嘴的气体供给量实质性为零。4.根据权利要求1的方法，其中，对于全部所述多个喷嘴，进行所述工序(a)。5.根据权利要求1的方法，其中，对于全部所述多个喷嘴，同时期地进行所述工序(a)。6.根据权利要求1的方法，其中，进一步具有：(d)对于所述多个喷嘴中的进行了所述工序(a)后的喷嘴，供给含有氮和氧的气体的工序。7.根据权利要求6的方法，其中，(e)交替进行所述工序(a)和所述工序(d)。8.根据权利要求1的方法，其中，(f)在所述工序(b)中，由加热器对所述多个喷嘴进行加热，使得所述含有氢和氧的气体在所述喷嘴内活性化。9.根据权利要求8的方法，其中，所述工序(f)中，进行加热，以使得所述多个喷嘴的主区域达到实质性均匀的温度。10.根据权利要求8的方法，其中，所述工序(f)中，由所述加热器来进行加热，上述加热器被配置在与所述反应管内的所述基板所处的区域相对应的位置上。11.根据权利要求10的方法，其中，所述基板是产品基板。12.根据权利要求8的方法，其中，以使得所述多个喷嘴的至少设置有孔的区域位于与所述加热器相对的位置的方式，来配置所述多个喷嘴和所述加热器中的任一方或双方。13.根据权利要求8的方法，其中，所述加热器为：沿着所述多个喷嘴内的所述气体的流动方向分割成多个分区而构成，(g)在所述工序(a)和所述工序(b)中，改变温度，以使得所述多个分区的温度控制各不相同。14.根据权利要求13的方法，其中，所述工序(b)中，将所述多个分区中的至少与基板的处理区域相对应的分区的温度控制为实质性相同的温度。15.根据权利要求13的方法，其中，2CN115116844A权利要求书2/2页所述工序(b)中，将所述多个分区中的下端侧的分区的温度控制为比其他分区的温度高的温度。16.根据权利要求1的方法，其中，进一步具有：(h)在所述反应管的外侧，由第二加热器对所述含有氢和氧的气体进行加热的工序。17.一种基板处理方法，在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出之后，具有：(a)向所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序、(b)向进行了所述(a)工序后的所述至少一个喷嘴供给含有氢和氧的气体的工序和(c)在所述(b)工序之后向所述反应管内搬入下一批基板的工序。18.一种半导体装置的制造方法，在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出之后，具有：(a)向所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序、(b)向进行了所述(a)工序后的所述至少一个喷嘴供给含有氢和氧的气体的工序和(c)在所述(b)工序之后向所述反应管内搬入下一批基板的工序。19.一种基板处理装置，具有：在内部处理基板的反应管，相对于所述反应管内搬入和搬出基板的搬运机构，向所述反应管供给各种气体的多个喷嘴，向所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的清洁气体供给系统，向所述至少一个喷嘴供