预塑封引线框架、半导体封装结构及其单元、封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109256367A(43)申请公布日2019.01.22(21)申请号201811244111.1(22)申请日2018.10.24(71)申请人嘉盛半导体(苏州)有限公司地址215027江苏省苏州工业园区西沈浒路88号(72)发明人余训松朱健荣彭彧郑友君(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人陈伟李辉(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称预塑封引线框架、半导体封装结构及其单元、封装方法(57)摘要本发明提供了一种预塑封引线框架、半导体封装结构及其单元、封装方法，所述预塑封引线框架包括：多个引线框架单元，引线框架单元至少具有位于最外侧的导电元件，相邻引线框架单元的导电元件之间通过预塑封工艺埋嵌有绝缘层，绝缘层包覆导电元件的至少部分外侧壁。本发明实施例能够对导电元件进行防氧化保护，并且预塑封引线框架的制备工艺得以简化和紧密衔接，制造成本得以降低；此外，消除现有技术切割时存在的金属残留的问题，提高封装产品的质量和良率。CN109256367ACN109256367A权利要求书1/2页1.一种预塑封引线框架，其特征在于，包括：多个引线框架单元，所述引线框架单元至少具有位于最外侧的导电元件，相邻所述引线框架单元的导电元件之间通过预塑封工艺埋嵌有绝缘层，所述绝缘层包覆所述导电元件的至少部分外侧壁。2.如权利要求1所述的预塑封引线框架，其特征在于，所述绝缘层的厚度小于所述导电元件的厚度，所述绝缘层的上表面与所述导电元件的上表面平齐，所述导电元件位于所述绝缘层下方的外侧壁上形成有保护层。3.如权利要求2所述的预塑封引线框架，其特征在于，所述绝缘层的下表面与所述导电元件位于所述绝缘层下方的外侧壁之间形成凹槽，所述凹槽为对相邻所述引线框架单元所包含的导电元件进行化学蚀刻得到的。4.如权利要求3所述的预塑封引线框架，其特征在于，限定出所述凹槽的导电元件的外侧壁为倾斜坡面结构，所述保护层形成在所述倾斜坡面结构上。5.如权利要求1所述的预塑封引线框架，其特征在于，所述导电元件的下表面接通至所述引线框架单元的背面，所述导电元件的下表面形成有保护层。6.如权利要求1所述的预塑封引线框架，其特征在于，所述绝缘层作为连接件连接相邻所述引线框架单元。7.如权利要求1或6所述的预塑封引线框架，其特征在于，相邻所述引线框架单元的导电元件的外侧壁向内凹陷形成卡槽，所述绝缘层的下端向外延伸形成凸起，所述凸起嵌入所述卡槽。8.如权利要求1所述的预塑封引线框架，其特征在于，所述引线框架单元还包括绝缘填充层，以及，通过预塑封工艺埋嵌于所述绝缘填充层中且彼此独立的多个金属导电柱；其中，位于最外侧的所述金属导电柱形成所述导电元件。9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：如权利要求1至8任意一项所述的预塑封引线框架；与多个所述引线框架单元相对应的半导体芯片，所述半导体芯片与对应的所述预塑封引线框架中的导电元件电连接；塑封层，其包覆所述预塑封引线框架的正面、所述绝缘层的上表面及所述半导体芯片。10.一种半导体封装单元，其特征在于，包括：引线框架单元，其包括：位于最外侧的导电元件，所述导电元件的外侧壁通过预塑封工艺形成有绝缘层，所述绝缘层包覆所述导电元件的至少部分外侧壁；半导体芯片，其与所述引线框架单元中的导电元件电连接；塑封层，其包覆所述引线框架单元的正面、所述绝缘层的上表面及所述半导体芯片。11.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至8任意一项所述的预塑封引线框架；对所述导电元件的下表面进行化学蚀刻，使所述绝缘层的下表面裸露，所述导电元件的外侧壁形成倾斜坡面结构；在所述倾斜坡面结构以及所述导电元件的下表面形成保护层；将半导体芯片倒装至所述预塑封引线框架的正面，使所述半导体芯片上的焊垫与所述预塑封引线框架的引脚互相电连接；用绝缘材料将所述半导体芯片及所述预塑封引线框架的正面全面包覆，形成塑封层，2CN109256367A权利要求书2/2页得到半导体封装结构。12.如权利要求11所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供预塑封引线框架的步骤中，相邻所述引线框架单元的导电元件绕过所述绝缘层的下方连为一体；在进行化学蚀刻的步骤中，对所述导电元件位于所述绝缘层的下方的部分进行化学蚀刻，从而所述导电元件绕过所述绝缘层的下方的部分被消融掉，并使所述绝缘层的下表面暴露。13.如权利要求11所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供预塑封引线框架的步骤中，所述引线框架单元还包括绝缘填充层，以及，通过预塑封工艺埋嵌于所述绝缘填充层中且彼此独立