晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114496820A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202210068250.3(22)申请日2022.01.20(71)申请人甬矽半导体（宁波）有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号(72)发明人孔德荣张聪王森民(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师刘曾(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备(57)摘要本申请提供了一种晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备，涉及半导体领域。晶圆级芯片封装方法包括在基材正面铺设贴片膜，在贴片膜上贴装晶粒，利用塑封材料对晶粒进行晶圆级塑封，并制作电连接于晶粒的锡球，然后从基材的背面去除部分基材的材料，以减薄基材的厚度。在本申请实施例中，最终并不移出基材，而是保留部分基材。减薄后基材的厚度可以根据整体封装结构的尺寸来决定。由于保留了部分基材，基材具有一定结构强度，能够起到较佳的支撑作用，来抵抗塑封体中的应力，避免变形。这样制作出来的整个晶圆级芯片封装结构不容易存在翘曲变形，因此有利于后续的制程。CN114496820ACN114496820A权利要求书1/1页1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：在基材正面铺设贴片膜；在所述贴片膜上贴装晶粒；利用塑封材料对所述晶粒进行晶圆级塑封，并制作电连接于所述晶粒的锡球；从所述基材的背面去除部分所述基材的材料，以减薄所述基材的厚度。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，在减薄所述基材的厚度之后，所述晶圆级芯片封装方法还包括：在所述基材的背面铺设背胶膜。3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述晶圆级芯片封装方法还包括：在所述基材的背面一侧制作标识。4.根据权利要求3所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，在所述基材的背面一侧制作标识的步骤，包括：在减薄所述基材的厚度之后，铺设所述背胶膜之前，在所述基材的背面制作标识。5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述背胶膜为透明材质。6.根据权利要求3所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述在所述基材的背面一侧制作标识的步骤，包括：在所述背胶膜上制作标识。7.根据权利要求3所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述制作标识的方法包括镭射打标或是油墨打标。8.根据权利要求1‑7中任一项所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述晶粒上电镀有线路，在所述贴片膜上贴装晶粒之前，所述晶圆级芯片封装方法还包括：在晶粒上制作连接于所述线路的金属端子；在贴装所述晶粒时，所述晶粒具有所述金属端子的一侧背离所述基材。9.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述利用塑封材料对所述晶粒进行晶圆级塑封，并制作电连接于所述晶粒的锡球的步骤，包括：利用所述塑封材料包裹所述晶粒，形成包裹所述晶粒的塑封体；研磨所述塑封体以露出所述晶粒上的所述金属端子；制作钝化层和布线层，所述布线层连接所述金属端子，所述钝化层包裹所述布线层并通过开口露出所述布线层的局部；在所述钝化层的开口处设置连接所述布线层的所述锡球。10.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，由权利要求1‑9中任一项所述的晶圆级芯片封装方法制得。11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的晶圆级芯片封装结构。2CN114496820A说明书1/5页晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备技术领域[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备。背景技术[0002]随着半导体行业的快速发展，晶圆级扇出封装结构广泛应用于半导体行业中。扇出封装中，如何降低制程中产生的翘曲并具备量产能力，越来越重要。现有的封装过程中，晶粒塑封过后因材料特性会使封装结构容易产生的翘曲，导致后续制程加工的不易。发明内容[0003]本申请的目的包括提供一种晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备，其能够改善晶圆级芯片封装结构容易翘曲的问题。[0004]本申请的实施例可以这样实现：[0005]第一方面，本申请提供一种晶圆级芯片封装方法，包括：[0006]在基材正面铺设贴片膜；[0007]在贴片膜上贴装晶粒；[0008]利用塑封材料对晶粒进行晶圆级塑封，并制作电连接于晶粒的锡球；[0009]从基材的背面去除部分基材的材料，以减薄基材的厚度。[0010]在可选的实施方式中，在减薄基材的厚度之后，晶