半导体制造装置及半导体装置的制造方法.pdf
是丹****ni
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半导体制造装置及半导体装置的制造方法.pdf
本发明的实施方式提供一种可对作为贴合对象的衬底良好地进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备改质部,所述改质部对第1衬底进行部分改质,在所述第1衬底内的第1部分与第2部分之间形成改质层。所述装置还具备接合部,所述接合部在所述第1部分与第2衬底之间形成将所述第1部分与所述第2衬底接合的接合层。所述装置还具备去除部,所述去除部通过将所述第1部分与所述第2部分分离,使所述第1部分残存于所述第2衬底的表面,并从所述第2衬底的表面去除所述第2部分。
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本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时,在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后,进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×10
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提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置,在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中,准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1),而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d),然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着,以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka
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提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。在向表面形成有凹部的被处理体供给含有硅的成膜气体来用硅填充凹部内以形成硅层时,能够防止硅层中含有空隙或形成接缝。向被处理体(晶圆W)供给成膜气体,来在被处理体的表面的凹部(42)内形成硅膜(44)。接着,向被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体,对处理气体提供热能使其活性化,对形成于凹部(42)的侧壁的硅膜(44)进行蚀刻来扩大凹部(42)的开口宽度,其中,卤素气体用于对硅膜(44)进行蚀刻,粗糙抑制气体用于抑制被卤素气体蚀刻后的硅膜(44)的表面粗