半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113036026A(43)申请公布日2021.06.25(21)申请号202011188068.9(22)申请日2020.10.30(30)优先权数据2019-2322312019.12.24JP(71)申请人株式会社铃木地址日本长野县(72)发明人立岩刚平木和雄(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人徐丹邓毅(51)Int.Cl.H01L33/62(2010.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图9页(54)发明名称半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置(57)摘要半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置。提供如下的半导体装置的制造装置：使经由具有导电粒子和热固性粘接剂的各向异性导电胶将多个半导体芯片搭载于基板而成的工件成为可通电状态且可返工状态，由此，能够飞跃性地提高产量。半导体装置的制造装置(1)构成为具有对工件(90)进行加热处理的第1回流炉(3)以及控制部(2)，第1回流炉构成为，从入口侧一直到加热区(3b)设置有第1输送机(31)，接着，从冷却区(3c)一直到出口侧设置有第2输送机(32)，控制部针对第1输送机和第2输送机进行如下控制：将工件搬运到加热区而使焊料熔融，接着，将工件搬运到冷却区而使焊料固化，使工件成为可通电且可返工的状态。CN113036026ACN113036026A权利要求书1/3页1.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法构成为具有以下步骤：安装步骤，将各向异性导电胶转印到半导体芯片，利用倒装芯片安装技术将该半导体芯片搭载于基板，其中，所述各向异性导电胶是将导电粒子分散于未固化的热固性粘接剂而构成的；以及第1加热处理步骤，利用第1回流炉对经由所述各向异性导电胶将多个所述半导体芯片搭载于所述基板而成的工件进行加热处理，所述半导体装置的制造方法的特征在于，所述第1回流炉构成为，具有被设定成所述导电粒子中包含的焊料的熔融温度以上的加热区、被设定成小于所述焊料的熔融温度的冷却区、从入口侧一直设置到所述加热区的第1输送机、以及从所述冷却区一直设置到出口侧的第2输送机，利用所述第1输送机和所述第2输送机使所述工件以比所述热固性粘接剂的固化时间短的时间通过所述第1回流炉，在所述第1加热处理步骤中，以间距进给的方式将所述工件搬运到所述加热区中的第1加热区并滞留于此，由此，在该第1加热区以平均值为4～8℃/秒的升温曲线对所述工件进行加热，接着，以间距进给的方式将所述工件搬运到所述加热区中的第2加热区并滞留于此，由此使所述焊料熔融，接着，将所述工件搬运到所述冷却区而使所述焊料固化，使所述工件成为可通电状态且可返工状态。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第1加热处理步骤中，在所述第1加热区将所述工件加热20～40秒直到到达峰值温度，在所述第2加热区将所述工件加热5～30秒以维持所述峰值温度，接着，在所述冷却区对所述工件进行冷却。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体芯片是LED，在所述第1加热处理步骤之后，具有：导通试验步骤，对所述工件进行导通试验；不良品去除步骤，在所述导通试验步骤中从所述LED中检测到导通不良品的情况下，利用不良品去除机去除所述导通不良品；以及再次安装步骤，代替所述导通不良品，向新的所述LED转印所述各向异性导电胶，并搭载于去除了所述导通不良品的部位，在所述不良品去除步骤中，一边以非接触的方式对所述导通不良品的安装部位进行加热，一边利用真空抽吸头进行抽吸，由此使所述焊料再次熔融，从所述基板去除所述导通不良品和连接部的所述热固性粘接剂。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述再次安装步骤之后，反复进行所述第1加热处理步骤和所述导通试验步骤，直到未检测到所述导通不良品为止，在所述导通试验步骤中，将所述LED有无点亮与所述LED的配置数据关联起来利用存储单元进行数据存储，确定所述导通不良品的位置。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法具有第2加热处理步骤，在所述第2加热处理步骤中，在所述导通试验步骤中未检测到所述导通不良品的情况下，对所述工件进行加热，使所述热固性粘接剂热固化。6.一种半导体装置的制造装置，所述半导体装置的制造装置构成为具有：2CN113036026A权利要求书2/3页涂布机，其将各向异性导电胶转印到半导体芯片，其中，所述各向异性导电胶是将导电粒子分散于未固化的热固性粘接剂而构成的；安装机，其利用倒装芯片安装技术将所述半导体芯片搭载于基板；第1回流炉，其对经由所述各向异性导电胶将多个所述半导体芯片搭载于所述基板而成的