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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106486446A(43)申请公布日2017.03.08(21)申请号201610730801.2(22)申请日2016.08.26(30)优先权数据2015-1682482015.08.27JP(71)申请人瑞萨电子株式会社地址日本东京(72)发明人矢岛明(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人高培培车文(51)Int.Cl.H01L23/488(2006.01)H01L23/52(2006.01)H01L23/522(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图15页(54)发明名称半导体装置的制造方法及半导体装置(57)摘要提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置,在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中,准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1),而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d),然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着,以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka、2kb)的方式在聚酰亚胺层(2f)形成开口,对半导体晶圆(1)实施热处理,然后在再配置布线(2e)上形成凸块。CN106486446ACN106486446A权利要求书1/2页1.一种半导体装置的制造方法,具有:(a)工序,准备半导体基板,该半导体基板具有:第一焊盘电极,形成于多个布线层的最上层,且在表面形成有第一金属膜;和第二焊盘电极,与所述第一焊盘电极电连接并且形成于所述多个布线层的最上层,且在表面形成有第二金属膜;(b)工序,形成第一绝缘膜,该第一绝缘膜具有使所述第一焊盘电极的所述第一金属膜露出的第一开口和使所述第二焊盘电极的所述第二金属膜露出的第二开口;(c)工序,在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第一开口且使所述第二开口露出的掩膜层;(d)工序,形成经由所述第二开口与所述第二焊盘电极电连接的布线;(e)工序,在所述第一焊盘电极上和所述布线上形成第二绝缘膜;(f)工序,以在所述第一焊盘电极及所述布线各自的表面留下有机反应层的方式,在所述第二绝缘膜的所述第一焊盘电极上形成第三开口,且在所述第二绝缘膜的所述布线上形成第四开口;(g)工序,在所述(f)工序之后对所述半导体基板实施热处理;以及(h)工序,在所述第四开口的所述布线上形成凸块。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述(d)工序之后,除去所述掩膜层而使所述第一开口露出,而且以留下所述第一焊盘电极的所述第一金属膜的方式,通过蚀刻除去所述第一金属膜上的导体层。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,所述导体层由与所述第一金属膜不同的材料构成。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,所述(g)工序的所述热处理的温度比所述凸块的熔点高。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述(f)工序与所述(g)工序之间,使探针接触所述第一焊盘电极来进行第一探针检查。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述(g)工序之后,使探针接触所述第一焊盘电极来进行第二探针检查。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述(g)工序之后且所述(h)工序之前,除去所述布线的表面的所述有机反应层。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,所述(g)工序的所述热处理是在所述半导体基板的半导体芯片的区域形成的非易失性存储器的烘烤测试。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,所述第一开口的平面视图中的大小比所述第二开口的平面视图中的大小大。10.一种半导体装置,具有:半导体芯片,具备主面,且形成有半导体电路;多个第一焊盘电极,与所述半导体电路电连接,且在所述主面露出;多个第二焊盘电极,与所述多个第一焊盘电极的各第一焊盘电极电连接,且与所述多个第一焊盘电极的各第一焊盘电极形成于同一层;2CN106486446A权利要求书2/2页多个布线,覆盖所述多个第二焊盘电极的各第二焊盘电极,且与所述多个第二焊盘电极的各第二焊盘电极电连接;绝缘膜,形成在所述多个布线上;以及多个凸块,设置于所述多个布线的各布线的所述绝缘膜的开口部,所述多个第一焊盘电极的各第一焊盘电极的表面露出。11.根据权利要求10所述的半导体装置,在所述多个第一焊盘电极的各第一焊盘电极的表面形成有金属膜,所述金属膜延伸到所述多个第二焊盘电极的各第二焊盘电极之上。12.根据权利要求10所述的半导体装置,所述多个第一焊盘电极的各第