半导体装置的制造方法及半导体装置.pdf
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半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置.pdf
半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置。提供如下的半导体装置的制造装置:使经由具有导电粒子和热固性粘接剂的各向异性导电胶将多个半导体芯片搭载于基板而成的工件成为可通电状态且可返工状态,由此,能够飞跃性地提高产量。半导体装置的制造装置(1)构成为具有对工件(90)进行加热处理的第1回流炉(3)以及控制部(2),第1回流炉构成为,从入口侧一直到加热区(3b)设置有第1输送机(31),接着,从冷却区(3c)一直到出口侧设置有第2输送机(32),控制部针对第1输送机和第2输送机进行如下控制:将工件搬运到加热区
半导体装置的制造方法、半导体装置.pdf
将半导体元件(14、16)固定于基板(12),将具有框体、信号端子(T4-T7)、宽度比该信号端子宽的主端子(T2、B5)、以及虚设端子(T1、T3、T8、T9、R1-R18、L1-L18、B?1-B4、B6-B8)的端子集合体的该信号端子和该主端子与该半导体元件电连接,形成该基板、该半导体元件、以及该端子集合体进行了一体化的被封装体。将在下模具形成的多个块体与该信号端子、该主端子、以及该虚设端子以无间隙的方式啮合,将该被封装体载置于该下模具。然后,将上模具的下表面无间隙地重叠在该多个块体的上表面、该信号
半导体装置的制造方法及半导体装置.pdf
提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置,在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中,准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1),而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d),然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着,以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时,在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后,进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×10
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本申请涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备:衬底,形成着配线;第1半导体元件,覆晶连接于所述衬底;第2半导体元件,设置在所述第1半导体元件上;第1树脂,设置在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;第2树脂,设置在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;及构件,具有比所述第1树脂的热导率及所述第2树脂的热导率大的热导率,设置在所述第1树脂与所述第2树脂之间,且在俯视下,一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。