内容提供者
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
2023-05-17
10金币
1.1MB
14页
飞舟****文章
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共14页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。
2023-05-17
10
1.1MB
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×10
2023-11-19
10
1.7MB
半导体制造装置及半导体装置的制造方法.pdf
本发明的实施方式提供一种可对作为贴合对象的衬底良好地进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备改质部,所述改质部对第1衬底进行部分改质,在所述第1衬底内的第1部分与第2部分之间形成改质层。所述装置还具备接合部,所述接合部在所述第1部分与第2衬底之间形成将所述第1部分与所述第2衬底接合的接合层。所述装置还具备去除部,所述去除部通过将所述第1部分与所述第2部分分离,使所述第1部分残存于所述第2衬底的表面,并从所述第2衬底的表面去除所述第2部分。
2023-05-25
10
2.3MB
半导体装置的制造方法、半导体装置.pdf
将半导体元件(14、16)固定于基板(12)，将具有框体、信号端子(T4－T7)、宽度比该信号端子宽的主端子(T2、B5)、以及虚设端子(T1、T3、T8、T9、R1－R18、L1－L18、B?1－B4、B6－B8)的端子集合体的该信号端子和该主端子与该半导体元件电连接，形成该基板、该半导体元件、以及该端子集合体进行了一体化的被封装体。将在下模具形成的多个块体与该信号端子、该主端子、以及该虚设端子以无间隙的方式啮合，将该被封装体载置于该下模具。然后，将上模具的下表面无间隙地重叠在该多个块体的上表面、该信号
2023-10-28
10
42.4MB
半导体装置的制造方法、半导体装置.pdf
本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置。半导体装置将接合后与焊接层一起形成树脂层的焊膏用于半导体芯片的接合中而得到高可信性。如图2的（a）的放大图所示，虽然形成有气泡（100），但气泡（100）难以在焊剂（51）中移动，而是停留在其内部。因此，抑制了构成焊剂（51）的树脂材料飞散。粘度调整剂混合于焊剂（51）中，以使此时的焊剂（51）的粘度约为90～150Pa·s。然后通过固化步骤使焊剂（51）也完全硬化。此时，如图2的（b）所示，在该固化处理时，焊剂（51）硬化的同时收缩，焊剂（51）中的气泡（10
2023-11-23
10
1.6MB