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本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。