一种二硫化锡纳米片组装中空微立方体材料的制备方法.pdf
雨巷****彦峰
亲,该文档总共12页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
一种二硫化锡纳米片组装中空微立方体材料的制备方法.pdf
本发明公开了一种二硫化锡纳米片组装中空微立方体材料的制备方法,具体为:将四氯化锡溶于无水乙醇中,配成溶液A;将氯化锌和柠檬酸溶于去离子水中,配成混合溶液B;将溶液A加入到混合溶液B中,加入氢氧化钠溶液,搅拌,陈化,得到悬浮液C;之后将氢氧化钠溶液逐滴滴加到悬浮液C中,搅拌,陈化,洗涤,干燥研磨,将得到的中空ZnSn(OH)6粉体、硫代乙酰胺和乙二胺四乙酸溶于去离子水中,搅拌、超声,进行水热反应,洗涤,干燥研磨,即可得到SnS2纳米片组装中空微立方体材料。本发明方法制备出由SnS2纳米片组装中空微立方体材料
一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法.pdf
本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法,该方法包括如下步骤:1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域;2)称量SnS2粉末,并置于耐高温容器中,然后将其放置在管式炉加热区;3)称量硫粉,并置于另一耐高温容器中,然后将其放置在加热区上游区域;4)降低所述水平管式炉内压力;5)向所述水平管式炉内充入惰性气体,使所述水平管式炉内压回复到常压,同时保持一定流速的惰性气体;6)将所述水平管式炉温度升至650-750℃;7)将所述水平管式炉加热区自然降温到室温。本方法制备工艺简单,重复性高,可控性强、结晶性好、容
一种硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡‑硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法,属于新能源材料制备技术领域。本发明产品的主体部分是均一复合的硫化锡‑硫化镍纳米片,其垂直、紧密生长在导电基底表面形成阵列结构。本发提出的一步溶剂热制备方法,以氯化镍、四氯化锡和硫代乙酰胺分别作为镍源、锡源和硫源,以酒精和水混合液作为溶剂,以导电基底作为骨架,通过控制水的添加量来有效控制硫化镍的生长速率,实现产品的合成。该方法产物产量大、纯度高,形貌可控,无需后处理;且该法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产
一种二硫化铼纳米片的制备方法.pdf
本发明公开了一种二硫化铼纳米片的制备方法,将三氧化铼置于反应舟中,硅/二氧化硅基底置于反应舟上方,碳布基底平铺于硅/二氧化硅基底前端;硫粉置于反应容器中,反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内,石英玻璃管置于真空管式炉内,然后通入载气,在600‑750℃反应,即在硅/二氧化硅基底上得到二维结构的二硫化铼纳米片,在碳布基底上得到垂直生长的三维结构的二硫化铼纳米片。本发明提供的二硫化铼纳米片制备方法工艺简单,所制备的二维材料作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性,稳定性好。同时由于生长衬底廉价,实验条件可控性好,
直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法,所述方法使用四控温区水平管式炉,所述方法包括以下步骤:1)第一控温区放置硫,第二控温区放置碘化亚锡作为反应源,然后在第四控温区放置衬底;2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下,通入惰性气体作为保护气和载气;3)分别对第二、三、四控温区加热;4)将第一控温区加热至90℃‑200℃,并保温1‑3小时;5)将水平管式炉降温至室温,从第四控温区中取出衬底,得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。本发明提供的方法为一步化学气相沉积法,该方法操作简单,