一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法.pdf

本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将其放置在加热区上游区域；4)降低所述水平管式炉内压力；5)向所述水平管式炉内充入惰性气体，使所述水平管式炉内压回复到常压，同时保持一定流速的惰性气体；6)将所述水平管式炉温度升至650-750℃；7)将所述水平管式炉加热区自然降温到室温。本方法制备工艺简单，重复性高，可控性强、结晶性好、容

2023-06-19

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一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法.pdf

本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20-300Torr，并保持气体流速在20-200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600-800℃，反应时间为5-30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成

2023-06-19

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一种硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法.pdf

本发明涉及一种负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡‑硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明产品的主体部分是均一复合的硫化锡‑硫化镍纳米片，其垂直、紧密生长在导电基底表面形成阵列结构。本发提出的一步溶剂热制备方法，以氯化镍、四氯化锡和硫代乙酰胺分别作为镍源、锡源和硫源，以酒精和水混合液作为溶剂，以导电基底作为骨架，通过控制水的添加量来有效控制硫化镍的生长速率，实现产品的合成。该方法产物产量大、纯度高，形貌可控，无需后处理；且该法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产

2023-06-12

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直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法.pdf

本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述方法包括以下步骤：1)第一控温区放置硫，第二控温区放置碘化亚锡作为反应源，然后在第四控温区放置衬底；2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气；3)分别对第二、三、四控温区加热；4)将第一控温区加热至90℃‑200℃，并保温1‑3小时；5)将水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。本发明提供的方法为一步化学气相沉积法，该方法操作简单，

2023-06-17

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一种二硫化铼纳米片的制备方法.pdf

本发明公开了一种二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于反应舟中，硅/二氧化硅基底置于反应舟上方，碳布基底平铺于硅/二氧化硅基底前端；硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，石英玻璃管置于真空管式炉内，然后通入载气，在600‑750℃反应，即在硅/二氧化硅基底上得到二维结构的二硫化铼纳米片，在碳布基底上得到垂直生长的三维结构的二硫化铼纳米片。本发明提供的二硫化铼纳米片制备方法工艺简单，所制备的二维材料作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，

2023-06-17

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