具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114267604A(43)申请公布日2022.04.01(21)申请号202111582269.1(22)申请日2021.12.22(71)申请人浙江里阳半导体有限公司地址317600浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区(72)发明人李晓锋蓝浩涛(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人郭燕彭家恩(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法(57)摘要一种具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法，在电子器件制造的生产线程中，封装时先进行控制引脚的缺陷检测，当检测完成后再对芯片进行封装，这样可以进一步的保障电子器件的良率。在检测时利用PN结与金属连接之后呈现出的正温度系数特性的原理进行检测，过程中可以利用温度补偿的方式提高导通阻抗的明显度，再通过测得导通阻抗的方式来判断控制引脚中是否存在缺陷，以对每一件芯片都能高效率的达到检测目的。CN114267604ACN114267604A权利要求书1/1页1.一种具有控制引脚的电子器件的制造方法，其特征在于，包括：在芯片的控制极位置处连接控制引脚，形成具有控制引脚的芯片；对所述芯片进行加温，并确定所述芯片的导通阻抗；通过所述导通阻抗对所述芯片的控制引脚进行缺陷判定，筛选出控制引脚连接合格的芯片；对控制引脚合格的芯片进行封装，形成电子器件。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述芯片进行加温，所加温度范围包括100℃‑130℃。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：获取所述芯片的标准导通阻抗数据，所述标准导通阻抗数据为预设数量个芯片导通阻抗的平均值。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过所述导通阻抗对所述芯片的控制引脚进行缺陷判定，筛选出控制引脚连接合格的芯片包括：通过对比所述导通阻抗与所述标准导通阻抗数据，得出对比值；当所述对比值位于预设范围内，则筛选为控制引脚连接合格的芯片。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在芯片的控制极位置处连接控制引脚，形成具有控制引脚的芯片包括：在所述芯片的控制极位置处进行打线，形成控制引脚，形成具有控制引脚的芯片。6.一种电子器件控制引脚的缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取待测芯片的导通阻抗数据；获取标准数据，所述标准数据为预设数量个芯片的导通阻抗平均值，所述芯片为具有控制引脚的芯片；根据所述导通阻抗数据与所述标准数据之间的对比值判断所述待测芯片的控制引脚连接是否存在缺陷。7.如权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据所述导通阻抗数据与所述标准数据之间的对比值判断所述待测芯片的控制引脚是否存在缺陷，包括：预设阈值，当所述对比值超出所述预设阈值范围时，判断结果为所述待测芯片的控制引脚连接存在缺陷。8.如权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，判断结果为所述待测芯片的控制引脚连接存在缺陷，还包括：对所述待测芯片的控制极引进拉力测试。9.如权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取待测芯片的导通阻抗数据之前，还包括：将所述待测芯片进行加温，提高所述待测芯片导通阻抗数据的明显度。10.如权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述导通阻抗数据的获取公式为：其中，RD(Tj)为待测芯片的导通阻抗，VF(IF2)为待测芯片在Tj温度、第二顺向导通电流下的导通电压，VF(IF1)为待测芯片在Tj温度、第一顺向导通电流下的导通电压，IF2为待测芯片在第二顺向导通电流，IF1为待测芯片在第一顺向导通电流，Tj为加温后待测芯片的温度。2CN114267604A说明书1/5页具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法技术领域[0001]本发明涉及电子器件领域，具体涉及一种具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法。背景技术[0002]只要超过两根引脚的电子器件产品，至少都会有一个引脚具有门极(Gate，Controlpin)的功能，做为半导体产品开关的控制，可以称为控制极。例如，晶闸管里，控制极(G)用来控制晶闸管从阻断状态转化为导通状态。[0003]控制引脚可以分为电压型控制引脚以及电流型控制引脚，如TTL(Transistor‑Transistor‑Logic，晶体管逻辑电路)半导体芯片产品中的控制引脚是电流型控制极控制，CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)半导体芯片产品中的控制引脚是电压型控制极控制。控制引脚在半导体产品中非常重要，控制引脚是否焊接牢靠或者是否存在焊接缺陷，绝对影响着芯