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半导体装置和半导体器件及其制造方法.pdf
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半导体装置和半导体器件及其制造方法.pdf
本申请涉及一种半导体装置,其包括具有优选单片半导体衬底,特别是硅衬底(2)的晶圆(1),以及在半导体衬底(2)内和/或上延伸的至少一个集成电子部件(3),其中,所述晶圆(1)包括具有集成电子部件(3)或至少一个集成电子部件的前段制程(5),以及包括位于前段制程(5)上方的后段制程(6)和光子平台(8),所述光子平台(8)在背离前段制程(5)的晶圆(1)的侧面(9)制造,平台包括至少一个波导(12)和至少一个电光器件(15),特别是至少一个光电探测器和/或至少一个电光调制器,其中所述光子平台(8)的电光器件
2023-05-24
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2023-11-05
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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf
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2023-11-24
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本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中，通过将具有反映了栅电极的宽度的光致抗蚀剂掩模(41a)用作掩模而将沟道保护膜局部去除，从而使IGZO膜局部暴露，将IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分置于自氟化硅气体和氮气混合而成的、不含有氢的处理气体生成的等离子体中，并利用由含有氟的氮化硅膜构成的钝化膜(18)来覆盖IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜
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