曝光方法、曝光系统和电子器件的制造方法.pdf
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相关资料
曝光方法、曝光系统和电子器件的制造方法.pdf
目的是提供能够控制抗蚀剂图案的侧壁角度的曝光方法。曝光方法包含以下步骤:读入表示第1参数与第2参数的关系的数据,根据数据和第2参数的目标值决定第1参数的目标值(S201~S203),其中第1参数是和具有第1波长的第1脉冲激光与具有比第1波长大的第2波长的第2脉冲激光的能量比率有关的参数,第2参数是与利用第1脉冲激光和第2脉冲激光来曝光抗蚀剂膜的情况下得到的抗蚀剂膜的侧壁角度有关的参数;以及根据第1参数的目标值对窄带化气体激光装置进行控制,以使其输出第1脉冲激光和第2脉冲激光,并曝光抗蚀剂膜(S205)。
曝光系统和电子器件的制造方法.pdf
本公开的一个观点的曝光系统具有:激光装置,其输出脉冲激光;照明光学系统,其将脉冲激光引导至掩模版;掩模版台;以及处理器,其对来自激光装置的脉冲激光的输出和基于掩模版台的掩模版的移动进行控制。掩模版具有被配置有第1图案的第1区域和被配置有第2图案的第2区域,第1区域和第2区域分别是在相对于脉冲激光的扫描方向正交的扫描宽度方向上连续的区域,第1区域和第2区域在扫描方向上并排地配置。处理器根据第1区域和第2区域的各个区域改变脉冲激光的控制参数的值,对激光装置进行控制,以使其输出与第1区域和第2区域的各个区域对应
曝光系统、激光控制参数的生成方法和电子器件的制造方法.pdf
本公开的一个观点的曝光系统具有:激光装置,其输出脉冲激光;照明光学系统,其将脉冲激光引导至掩模版;掩模版台,其使掩模版移动;以及处理器,其对来自激光装置的脉冲激光的输出和基于掩模版台的掩模版的移动进行控制,曝光系统对掩模版照射脉冲激光而对半导体基板进行扫描曝光。掩模版具有第1区域和第2区域,处理器根据与第1区域和第2区域各个区域对应的邻近效应特性,向激光装置指示与各个区域对应的脉冲激光的控制参数的值,以使其输出呈在各个区域中与基准的邻近效应特性之差收敛于容许范围的邻近效应特性的脉冲激光。
曝光装置和曝光方法.pdf
提供曝光装置和曝光方法,即使在狭小的区域中也能够高精度地检测曝光位置。曝光装置(10)具有遮光部(40),该遮光部(40)设置有沿着主扫描方向(X)排列的第1缝隙(SU1)和第2缝隙(SU2),该曝光装置(10)使配置有正方形状的子图案(PT1~PT5)的X型的离散的位置检测图案(PT)的光相对于遮光部(40)的第1、第2缝隙(SU1、SU2)沿着主扫描方向(X)进行扫描。
曝光装置和物品制造方法.pdf
本发明公开了曝光装置和物品制造方法。提供了一种曝光装置,该曝光装置执行在交换基板的同时曝光多个基板中的各个基板的作业处理。该装置包括被配置为保持基板的基板保持器以及被配置为控制作业处理的控制器。控制器基于作业处理的经过时间与基板变形量之间的关系来校正由于基板的变形而生成的重叠误差,并曝光基板。在该关系中,在基板交换时输送到基板保持器的基板被赋予初始变形量,该初始变形量与基板保持器在基板交换时的残留热量对应。