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本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiCMOSFET器件及其制备方法,所述方法包括如下步骤:在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层;将JFET区上方的第二介质层刻蚀,刻蚀后进行JFET区离子注入;淀积第三介质层,再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层,腐蚀第二介质层,自对准形成P阱注入图形,进行P阱注入;再淀积第四介质层,对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形,自对准形成沟道;腐蚀掉第三介质层与第四介质层,光刻形成P型重掺杂接触区,进行离子注入;热氧化形成栅介质层,通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足,且光刻步骤少,易于精确控制沟道长度,并能够降低JFET电阻,提升器件性能。