氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）-豆柴文库

氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）.docx

2024-11-17

5金币

10KB

2页

快乐****蜜蜂

实名认证

内容提供者

1/2

2/2

在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便

下载提示文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

氮离子注入提高4H-SiCn-MOSFET沟道迁移率的分析（英文） Abstract: Inthisstudy,weinvestigatetheeffectofnitrogenionimplantationontheelectronmobilityofn-channelmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor(n-MOSFET)fabricatedon4H-SiC.Twotypesofsampleswereprepared:onewithoutnitrogenionimplantationandtheotherwithnitrogenionimplantationusingadoseof1.0×10¹⁴cm^-2.ThesampleswerecharacterizedusingHalleffectmeasurementandX-raydiffraction(XRD).Ourresultsshowthatnitrogenionimplantationcanimprovetheelectronmobilityof4H-SiCn-MOSFETbyupto40%comparedwiththeunimplantedsample.Theimplantationalsocausedchangesinthestructuralpropertiesofthe4H-SiCmaterial,asrevealedbytheXRDanalysis. Introduction: Siliconcarbide(SiC)isapromisingmaterialfornext-generationelectronicdevices,especiallyhigh-powerandhigh-temperatureapplicationsduetoitswidebandgap,highelectronmobility,andthermalconductivity.AmongdifferentpolytypesofSiC,4H-SiCisthemostcommonlyusedduetoitshighcarriermobilityandlowinterfacetrapdensity.However,theelectronmobilityofn-channelMOSFETson4H-SiCisstilllowercomparedtothatofp-channelMOSFETs.Thisisprimarilyduetothepresenceofnitrogenimpuritiesinthematerial,whichcancausechargetrapsanddegradethemobility.Therefore,itisessentialtofindmethodstoimprovetheelectronmobilityofn-MOSFETson4H-SiC. Nitrogenionimplantationisonepossiblemethodtoimprovetheelectronmobilityof4H-SiC.Byintroducingnitrogenatomsintothecrystallatticethroughionimplantation,thechargetrapscanbe-passivatedandthemobilitycanbeimproved.Inthisstudy,weinvestigatetheeffectofnitrogenionimplantationontheelectronmobilityofn-MOSFETsfabricatedon4H-SiC. ExperimentalDetails: Twotypesofsampleswereprepared:onewithoutnitrogenionimplantationandtheotherwithnitrogenionimplantationusingadoseof1.0×10¹⁴cm^-2.Thesampleswerefabricatedona4H-SiCsubstrateusingthestandardprocessingsteps.TheMOSFETswerethenannealedat1300°Cfor3hoursinanargonatmospheretoactivatetheimplantednitrogen.TheelectricalpropertiesofthesampleswerecharacterizedusingHalleffectmeasurementatroomtemperature. Thestructural

相关资料

氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）.docx

2024-11-17

10KB

提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法.docx

提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法摘要：本文介绍了一种新方法，用于提高金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）沟道载流子的迁移率。该方法是基于界面工程和有序杂质控制的原理，通过在MOSFET的界面中引入特定的物质，调控沟道中的载流子迁移率。实验证明，该方法可以显著提高MOSFET的性能。引言：MOSFET作为一种重要的电子器件，其性能对于现代电子技术的发展至关重要。而MOSFET的沟道载流子迁移率是决定其性能的关键因素之一。因此，如何提高沟道载流子迁移率已成为研究的热点之一。本文在深入分析传统方

2024-10-28

10KB

PIII氮离子注入增强沉积实验分析.docx

PIII氮离子注入增强沉积实验分析绪论氮离子注入技术是一种在材料表面进行注入氮原子的方法，用于增强材料附着性、硬度、耐磨性、耐腐蚀性等性能。氮离子注入技术广泛应用于半导体、微电子、金属材料等领域。本文将重点研究氮离子注入增强沉积实验分析。实验设计实验中采用的样品为硅衬底，通过多种气相沉积法和氮离子注入处理方式，得到了不同处理条件下的样品。其中气相沉积法采用了热解法、化学气相沉积法等方法，在此不再赘述。值得注意的是，实验中对硅衬底进行了一定的预处理，以保证不同条件下的样品具有相近的初始状态。在氮离子注入处理

2024-11-03

10KB

硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法.pdf

一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III-V族

2023-06-14

1.9MB

氮离子注入提高金属铍的硬度及磨损性能的研究.docx

氮离子注入提高金属铍的硬度及磨损性能的研究氮离子注入提高金属铍的硬度及磨损性能的研究摘要：本文通过对氮离子注入技术在金属铍中的应用进行研究，探讨了氮离子注入对金属铍硬度和磨损性能的影响。实验结果表明，通过适当控制氮离子注入参数，可以显著提高金属铍的硬度和磨损性能，使其在应用中具有更高的耐磨性和使用寿命。关键词：氮离子注入；金属铍；硬度；磨损性能1.引言金属铍作为一种重要的结构材料，广泛应用于航空航天、核能和电子工业等领域。然而，由于其低硬度和磨损性能的限制，使得金属铍在一些特殊工作环境下的应用受到了一定的

2024-10-28

11KB