光致抗蚀剂组合物及使用其制造半导体器件的方法.pdf
景福****90
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光致抗蚀剂组合物及使用其制造半导体器件的方法.pdf
本发明公开了一种光致抗蚀剂组合物,其含有:包含第一化合物和第二化合物的聚合物;光致产酸剂;和溶剂,所述第一化合物具有由下式1表示的单元结构,所述第二化合物具有由下式2表示的单元结构;[式1]<base:Imagehe=@368@wi=@595@file=@DDA0003406909380000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@yes@/>其中:R<base:Sub>1</base:Sub>是氢
用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法.pdf
本发明涉及在制造FPD(LCD、OLED)的工艺中用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物以及利用其的方法。具体地,根据本发明的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物不仅在低温下也能够在短时间内剥离光致抗蚀剂,而且能够在没有对于下膜的表面损伤的情况下进行剥离,同时在清洗后不在衬底上残留光致抗蚀剂残留物。
用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法.pdf
本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法,所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有优异的光致抗蚀剂剥离力,并且可以在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效地除去氧化物。所述剥离剂组合物包含:其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物;胺化合物;极性有机溶剂;水合肼;和基于三唑的化合物。
盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法.pdf
本发明提供盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法。本发明公开一种由式(I)表示的盐,其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基,A1表示C1-C30一价有机基团,X1表示其中氢原子可以被羟基代替的C1-C10脂族烃基,m1和m2各自独立地表示1至4的整数,以及Z+表示有机阳离子。
光致抗蚀剂组合物.pdf
本发明提供一种光致抗蚀剂组合物,其包含树脂,酸生成剂和由式(C1)表示的化合物,在式(C1)中,Rc2表示可以具有一个或多个取代基的C7-C20芳烷基,并且Rc1表示由式(1)表示的基团,在式(1)中,Rc3和Rc4各自独立地表示氢原子或直链,支链或环状C1-C12脂族烃基,Rc5表示C1-C30二价有机基团,并且Rc3和Rc4或Rc5可以彼此结合以与Rc3和Rc4或Rc5结合的氮原子一起形成环。