一种新型PECVD工艺腔体冷却控制装置.pdf
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一种新型PECVD工艺腔体冷却控制装置.pdf
本实用新型公开了一种新型PECVD工艺腔体冷却控制装置,包括壳体,所述壳体的内壁底部安装有控温器,所述圆杆的外壁通过轴承与壳体的顶部转动相连,所述圆杆的底部固接有第一齿轮,所述第一齿轮的一侧啮合相连有第二齿轮,所述第二齿轮的内壁固接有双头螺柱,所述双头螺柱的外壁两侧均通过轴承转动相连有与壳体的内壁顶部两侧相固接的竖板,所述双头螺柱的外壁两侧均螺纹相连有与壳体的内壁顶部两侧相贴合的方块。本实用新型涉及半导体加工设备技术领域,通过圆杆、第一齿轮和第二齿轮之间的配合,实现了对承载部之间距离的调节,解决了现有装置
一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置.pdf
本实用新型公开了一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置,包括法兰头,所述法兰头的底部凹槽活动相连有转轴,两个所述连杆的顶部均固接有环形件,两个所述环形件的内侧活动相连有保护筒,所述保护筒的内壁与转轴的外壁相贴合,所述保护筒的顶部环形槽活动相连有橡胶卡环,所述橡胶卡环的上方与法兰头的侧壁固定连接。本实用新型涉及设备中硅片传送技术领域,通过环形件、半圆形板件和限位弧形板之间的配合,采用保护筒对接触处的侧面进行保护,解决了现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差的问题,不
一种新型PECVD的镀膜工艺.pdf
本发明涉及晶体硅表面镀膜领域,具体是一种新型PECVD的镀膜工艺,工艺步骤为:进炉升温稳定温度;氨气吹扫;抽真空检漏;预沉积;通化学反应气体开射频电离;抽真空;充气;退火;出炉。采用本发明的镀膜工艺镀膜的硅片制备的电池片因为修复了硅片表面的轰击损伤,降低了硅片表面的悬挂键数量,减少了复合中心,降低了电子的复合速率,增加了用于输出电流的电子空穴对,提高了电池片的短路电流,提高了电池片的效率,极大地增加了在本行业的竞争力。
一种PECVD承载盘腔体内置传动装置.pdf
本发明系提供一种PECVD承载盘腔体内置传动装置,通过连轴器及连杆传动,带动两侧传动装置,主要动力来源为腔壁外侧伺服马达,传动装置由链条带动,使动力能往其他滚轮传递,不再需要额外的动力来源,完全依靠腔壁外侧伺服马达即可,同时传动装置设有外罩,可防止外部污染源进入传动装置,影响其动作,本发明结构简单,安装容易,对于后续的维修保养时间也可以大幅缩减,同时可减少设置磁流体密封轴使用数量,大幅减少设备投入成本。
一种PECVD真空腔体间内置封合装置.pdf
本发明系提供一种PECVD真空腔体间内置封合装置,通过外部气压缸带动齿轮组,使齿轮组在一定范围内旋转,又齿轮组连接一连杆,连赶上设置有致动块,用以锁固真空封合板,使封合板能随齿轮组旋转做90度的上下开合动作,达到真空腔体间的封合,本发明结构简单,安装容易,且完全不需电动力进行封合板的驱动,对于后续使用的可靠度相当高,又同时设置于真空腔体内,不需额外在制作一小腔体放置封合装置,大幅减少真空溅镀线的产线总长度,大幅减少设备投入成本。