一种新型PECVD的镀膜工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109722643A(43)申请公布日2019.05.07(21)申请号201811502101.3(22)申请日2018.12.10(71)申请人中建材浚鑫科技有限公司地址214400江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号(72)发明人钱小芳杨冬生孙明晶(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人吕琳琳(51)Int.Cl.C23C16/02(2006.01)C23C16/513(2006.01)C23C16/56(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种新型PECVD的镀膜工艺(57)摘要本发明涉及晶体硅表面镀膜领域，具体是一种新型PECVD的镀膜工艺，工艺步骤为：进炉升温稳定温度；氨气吹扫；抽真空检漏；预沉积；通化学反应气体开射频电离；抽真空；充气；退火；出炉。采用本发明的镀膜工艺镀膜的硅片制备的电池片因为修复了硅片表面的轰击损伤，降低了硅片表面的悬挂键数量，减少了复合中心，降低了电子的复合速率，增加了用于输出电流的电子空穴对，提高了电池片的短路电流，提高了电池片的效率，极大地增加了在本行业的竞争力。CN109722643ACN109722643A权利要求书1/2页1.一种新型PECVD的镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)多晶硅进炉：温度为400-500℃，氮气流量为1000-10000sccm，时间为140-500s；(2)炉内升温：温度为400-500℃，氮气流量为1000-10000sccm，时间为500-600s；(3)氨气吹扫：温度控制在400-450℃，通入5000-6000sccm的氨气流量，时间为30-100s；(4)抽真空检漏：温度控制在400-450℃，用真空泵给炉管抽气，在120-300s内压强达到20-100mTorr，维持30-120s，观察压强是否超过100mTorr；(5)预沉积：输入氨气1000-10000sccm，硅烷200-900sccm，打开射频发生器，射频功率为4500-5500w，时间设置5-30s，然后关闭射频，气体输入停止；(6)通化学反应气体开射频电离：温度为430-460℃，稳定30-120s，输入氨气1000-10000sccm，硅烷200-500sccm，打开射频发生器，射频功率在4500-5500w，时间设置为50-200s，运行完设定时间后关闭射频发生器，改变输入气体的流量，输入氨气1000-10000sccm，硅烷400-900sccm，打开射频发生器，射频功率为5000-7000w，时间设置为150-600s，运行完设定时间后关闭射频发生器，气体输入停止，两步输入气体时间之和为600-750s；(7)抽真空：温度控制在430-460℃，用真空泵给炉管抽气，在120-300s内压强达到10-50mTorr，维持60s；(8)充气：用氮气吹扫每个反应气体的MFC，向炉管充入5000-15000sccm的氮气；(9)多晶硅退火：从炉口到炉尾依次5个温区升到设定温度500-550℃，维持120-480s；(10)出炉：温度为400-500℃，时间为100-400s，最终将镀膜片取出。2.根据权利要求1所述的新型PECVD的镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)多晶硅进炉：温度为450℃，氮气流量为5000sccm，时间为250s；(2)炉内升温：温度为450℃，氮气流量为5000sccm，时间为550s；(3)氨气吹扫：温度控制在425℃，通入5500sccm的氨气流量，时间为65s；(4)抽真空检漏：温度控制在420℃，用真空泵给炉管抽气，在200s内压强达到100mTorr，维持30-120s，观察压强是否超过100mTorr；(5)预沉积：输入氨气5000sccm，硅烷550sccm，打开射频发生器，射频功率为5000w，时间设置15s，然后关闭射频，气体输入停止；(6)通化学反应气体开射频电离：温度为440℃，稳定70s，输入氨气5000sccm，硅烷350sccm，打开射频发生器，射频功率在5000w，时间设置为120s，运行完设定时间后关闭射频发生器，改变输入气体的流量，输入氨气5000sccm，硅烷650sccm，打开射频发生器，射频功率为6000w，时间设置为400s，运行完设定时间后关闭射频发生器，气体输入停止，两步输入气体时间之和为700s；(7)抽真空：温度控制在440℃，用真空泵给炉管抽气，在200s内压强达到10-50mTorr，维持60s；(8)充气：用氮气吹扫每个反应气体的MFC，向炉管充入10000sccm的氮气；(9)多晶硅退火：从炉口到炉尾依次5个温区升到设定温度520