半导体器件的基础知识概要.ppt
什么是半导体3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。（1）正向导通：电源正极接P型半导体，负极接N型半导体，电流大。如果反向电流未超过允许值，反向电压撤除后，PN结仍能恢复单向导电性。半导体二极管由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。2．二极管的特性②正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。②反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。3．半导体二极管的主要参数半导体三极管的基本结
2024-11-26
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半导体器件特性.ppt
第一章半导体器件的特性1.1半导体的导电特性1.2PN结1.3二极管1.4双极型晶体管（BJT）1.5场效应管（FET）半导体材料：物质根据其导电能力(电阻率)的不同，可划分导体、绝缘体和半导体。导体：ρ<10－4Ω·cm绝缘体：ρ>109Ω·cm半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。典型的元素半导体有硅Si和锗Ge，此外，还有化合物半导体砷化镓GaAs等。半导体的原子结构和简化模型元素半导体硅和锗共同的特点：原子最外层的电子（价电子）数均为4。本征半导体的导电特性本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半
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半导体器件物理 chapter4 集成电路制造工艺.ppt
第四章集成电路制造工艺芯片制造过程图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。制膜：制作各种材料的薄膜。硅片准备光刻（Lithography）光刻工艺流程光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机–光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。–光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工
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半导体器件工艺学之光刻.ppt
第五章光刻§5-1光刻材料光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形光刻是IC制造中关键步骤1/3成本、40%—50%生产时间、决定CD多次光刻光刻材料：光刻胶掩膜版二、光刻胶（PR）2.光刻胶的组成树脂感光剂溶剂另外还有添加剂负性光刻胶正性光刻胶对比：正、负光刻胶3.光刻胶发展4.光刻胶的特性对比度：光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度敏感度：产生一个良好图形所需的最低能量粘滞度：液体光刻胶的流动特性的定量指标粘附性：光刻胶粘着衬底的强度抗蚀性：在后面的加工工艺中保持化学稳定性三、掩膜版两个基本部
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半导体器件复习.ppt
pn结8.PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）9.比较pn结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。10.势垒电容与扩散电容的产生机制。11.三种pn结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。12.PN结的交流等效电路？13.PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。14.肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。双极晶体管6.晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。7.晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线8.大电流效应及对器件特性
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半导体器件基础要点.ppt
21世纪高职、高专计算机类教材系列PublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElectronicsIndustryPublishingHouseofElect
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半导体器件基础分解.ppt
第一章半导体器件基础一.二极管基本原理杂质半导体内电场E动画演示2.PN结的单向导电性(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3.PN结的伏安特性曲线及表达式二.二极管二极管按结构分三大类：(3)平面型二极管半导体二极管的型号1、半导体二极管的V—A特性曲线二极管的近似分析计算例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UR
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半导体器件及其特性.ppt
第1章数字逻辑基础⒉数字信号图1-1本征半导体与掺杂半导体结构示意图a)本征半导体b)N型半导体c)P型半导体⒊数字电路的特点⑴形成过程和原理：⒋PN结单向导电性1.1.2二极管⑶数学表达式：⒉硅二极管与锗二极管伏安特性的区别⒊温度对二极管伏安特性的影响图1-7温度对伏安特性的影响⒋二极管的主要特性参数⒌理想二极管【例1-2】已知电路如图1-10a、b所示，VD为理想二极管，E=5V，ui=10Sinωt（V），试分别画出输出电压uO波形。解：（1）图1-10a电路：（2）图1-10b电路：解题说明：求解
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半导体器件原理.ppt
2024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/11/282024/
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半导体器件半导体场效应管.ppt
1.3半导体场效应管（FieldEffectTransister,FET)一、结型场效应管1、结构2、电压对电流的控制作用沟道最宽2）漏-源电压对漏极电流的影响(uGS>UGS(off),且不变）uGD<UGS(off)3、转移特性UDSg-s电压控制d-s的等效电阻二、绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOS场效应管结构和符号2、电压对电流的控制作用1）当UDS=0时，栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用2）uDS对iD的影响（设uGS＞uGS(th)且不变）3、增强型N沟道MOS管特性曲线4、N沟道耗尽型M
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