半导体器件及其特性.ppt

第1章数字逻辑基础⒉数字信号图1-1本征半导体与掺杂半导体结构示意图
a)本征半导体b)N型半导体c)P型半导体⒊数字电路的特点⑴形成过程和原理：⒋PN结单向导电性1.1.2二极管⑶数学表达式：⒉硅二极管与锗二极管伏安特性的区别⒊温度对二极管伏安特性的影响图1-7温度对伏安特性的影响⒋二极管的主要特性参数⒌理想二极管【例1-2】已知电路如图1-10a、b所示，VD为理想二极管，E=5V，ui=10Sinωt（V），试分别画出输出电压uO波形。解：（1）图1-10a电路：（2）图1-10b电路：解题说明：求解含有理想二极管电路时，可先判断二极管导通还是截止。若二极管导通，则用短路导线替代二极管VD；若二极管截止，则将二极管开路。然后按一般线性电路分析计算。1.2特殊二极管⒉稳压工作条件发光二极管1.3双极型三极管⒉分类⒊电流放大原理⑵电流分配关系1.3.2三极管的特性曲线和主要参数⒉共发射极特性曲线⑵输出特性曲线⒊三极管共射电路工作状态⒋三极管的主要参数图1-24三极管极间反向电流
a)ICBOb)ICEO⑹饱和压降UCES⒌三极管安全工作区【例1-4】已测得三极管各极对地电压值为U1、U2、U3，且已知其工作在放大区，试判断其硅管或锗管？NPN型或PNP型？并确定其E、B、C三极。分析此类题目的步骤是：②确定NPN型或PNP型。【例1-5】已测得电路中几个三极管对地电压值如图1-31，已知这些三极管中有好有坏，试判断其好坏。若好，则指出其工作状态（放大、截止、饱和）；若坏，则指出损坏类型（击穿、开路）。分析此类题目的判据和步骤是：②区分放大或饱和。③若发射结反偏，或UBE小于①中数据，则三极管处于截止状态或损坏。1.4场效应管⒊特性曲线3）数学表达式⑵输出特性2）特点：⒋场效应管主要参数⑸由于场效应管的漏极和源极结构对称，因此漏、源极可互换使用。②测试：不能用万能表测试MOS场效应管，必须用测试仪。任何时候，栅极不能是悬空。