半导体器件基础分解.ppt

第一章半导体器件基础一.二极管基本原理杂质半导体内电场E动画演示2.PN结的单向导电性(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区
PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；
PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3.PN结的伏安特性曲线及表达式二.二极管二极管按结构分三大类：(3)平面型二极管半导体二极管的型号1、半导体二极管的V—A特性曲线二极管的近似分析计算例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。
(1)若ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。0三.二极管的主要参数当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数稳压二极管的主要参数四、发光二极管六、变容二极管1.2半导体三极管一.BJT的结构2．电流分配关系(2)IC与IB之间的关系：二.BJT的特性曲线（共发射极接法）(2)输出特性曲线iC=f(uCE)iB=const输出特性曲线可以分为三个区域:

三.BJT的主要参数3.极间反向电流4.极限参数（3）反向击穿电压2.温度对三极管参数的影响1.4三极管的模型及分析方法截止状态半导体三极管的型号五、光电三极管和光电耦合器1.3场效应管一.绝缘栅场效应三极管当uGS＞0V时→纵向电场
→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。定义：
开启电压（UT）——刚刚产生沟道所需的
栅源电压UGS。②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用（3）特性曲线②转移特性曲线：iD=f(uGS)uDS=const一个重要参数——跨导gm：2.N沟道耗尽型MOSFETN沟道耗尽型MOSFET的特性曲线3、P沟道耗尽型MOSFET4.MOS管的主要参数1.分类：晶闸管的种类很多
A.按特性分：有单向，双向，光控等。
B.按容量分：大功率(50A)、中功率（5-50A)和小功率。本章小结