半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115602238A(43)申请公布日2023.01.13(21)申请号202110773197.2(22)申请日2021.07.08(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人郑宇廷(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438专利代理师王辉阚梓瑄(51)Int.Cl.G11C29/08(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图3页(54)发明名称半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置(57)摘要本公开提供了一种半导体器件的测试方法与测试装置，该测试方法包括：根据第一保留时间范围与第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据；根据第二保留时间范围与第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据；根据第一测试数据与第二测试数据确定保留时间测试不通过的存储单元的位置以及对应的测试值。CN115602238ACN115602238A权利要求书1/3页1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：预设第一保留时间范围与第一步长；根据所述第一保留时间范围与所述第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据；预设第二保留时间范围与第二步长；根据所述第二保留时间范围与所述第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据；根据所述第一测试数据与所述第二测试数据确定保留时间测试不通过的存储单元的位置以及对应的测试值。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述预设第一保留时间范围与第一步长，包括：预设保留时间、步长及多个测试环境温度；在多个测试环境温度下，分别根据保留时间与步长对半导体器件中采用保留时间与步长的多个存储单元进行测试，获取测试数据；根据测试数据与保留时间及步长，预设第一保留时间范围与第一步长。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述预设第二保留时间范围与第二步长，包括：预设保留时间、步长及多个测试环境温度；在多个测试环境温度下，分别根据保留时间与步长对半导体器件中采用保留时间与步长的多个存储单元进行测试，获取测试数据；根据测试数据与保留时间及步长，预设第二保留时间范围与第二步长。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述第一保留时间范围与所述第二保留时间范围相同，所述第一步长与所述第二步长相同。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，根据所述第一保留时间范围与所述第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据，包括：根据所述第一保留时间范围与所述第一步长形成多个测试值；根据多个所述测试值从小到大的顺序，依次选取所述测试值对半导体器件中的多个存储单元进行测试；判断各所述测试值对应的测试过程中半导体器件中的多个存储单元的保留时间是否大于或等于所述测试值；若大于或等于所述测试值，则判断所述测试值是否小于所述第一保留时间范围的最大值；若小于所述测试值，则输出该存储单元的测试值和位置信息；2CN115602238A权利要求书2/3页若所述测试值小于所述第一保留时间范围的最大值，则依次选取下一测试值，根据选取的下一测试值对半导体器件中的多个存储单元继续进行测试；根据各所述测试值对应的测试过程中输出的存储单元的测试值和位置信息形成第一测试数据。6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，根据所述第二保留时间范围与所述第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据，包括：根据所述第二保留时间范围与所述第二步长形成多个测试值；根据多个所述测试值从大到小