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霍尔传感器基本参量及磁场测量1、背景知识2、实验目的3、实验仪器4、实验原理不等位效应:电极不在等位面上,产生不等为电位差,只与有关与B无关。埃廷豪森效应:载流子运动的速度不同,引起温差电压,的正负与,B的方向有关。能斯特效应:电流电极与霍尔片的接触电阻不等,产生附加电压,的大小取决于磁场方向。里纪勒杜克效应:由于热扩散电流的载流子的迁移速度不同,产生相应的温度电压,的大小与B的方向有关,与无关。为抵消附加效应:5、实验仪器介绍5.2半导体材料的几何尺寸和线路连接图5.3霍尔元件实验仪和测量仪霍尔元件测量仪霍尔元件位置的移动1、测绘VH-Is关系曲线[霍尔效应]。用表4.7.1记录数据。霍尔元件置于电磁铁气隙中心。调节:2、绘制IS-Vσ曲线[欧姆定律]测量霍尔元件的电导率、载流子迁移率,用表4.7.2记录数据。3、测绘VH-IM关系曲线,用表3.7.3记录数据,霍尔元件置于电磁铁气隙中心;调节:4、测绘电磁铁气隙中磁感应强度B沿X方向的分布曲线。用表3.7.5记录数据,在坐标纸上绘图。调节:用公式计算各点磁感应强度B的值。1.用坐标纸绘制四个实验的图形并计算结果。8、注意9、仪器整理