霍尔元件基本参量及磁场测量.pptx
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霍尔传感器基本参量及磁场测量1、背景知识2、实验目的3、实验仪器4、实验原理不等位效应:电极不在等位面上,产生不等为电位差,只与有关与B无关。埃廷豪森效应:载流子运动的速度不同,引起温差电压,的正负与,B的方向有关。能斯特效应:电流电极与霍尔片的接触电阻不等,产生附加电压,的大小取决于磁场方向。里纪勒杜克效应:由于热扩散电流的载流子的迁移速度不同,产生相应的温度电压,的大小与B的方向有关,与无关。为抵消附加效应:5、实验仪器介绍5.2半导体材料的几何尺寸和线路连接图5.3霍尔元件实验仪和测量仪霍尔元件测量
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用霍尔元件测量磁场--用霍尔元件测量磁场实验12用霍耳元件测量磁场1879年霍耳在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现了霍耳效应它是电磁场的基本现象之一。利用这种现象可以制成各种霍耳器件特别是测量器件现在已广泛地应用在工业自动化和电子技术中。由于霍耳元件的体积可以做得很小所以可以用它测量某点的磁场和缝隙间的磁场还可以利用这一效应测量半导
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用霍尔元件测量磁场--用霍尔元件测量磁场实验12用霍耳元件测量磁场1879年霍耳在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现了霍耳效应,它是电磁场的基本现象之一。利用这种现象可以制成各种霍耳器件,特别是测量器件,现在已广泛地应用在工业自动化和电子技术中。由于霍耳元件的体积可以做得很小,所以可以用它测量某点的磁场和缝隙间的磁场,还可以利用这一效应测量半导体中的载流子浓度及判别载流子的性质等。本实验介绍一种用霍耳效应实验仪测量磁场的方法。一.实验目的1.了解用霍耳效应测量磁场的基本原理。2.了解电位差计的原理和使用
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霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量086041B班D组何韵摘要:霍尔效应是磁电效应的一种,利用这一现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.本实验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求,使用霍尔效应试验组合仪,采用“对称测量法”消除副效应的影响,经测量得到试样的VH—IM和VH—IS曲线,并通过实验测定的霍尔系数,判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数.关键词:霍尔效应halleffect
霍尔效应及霍尔元件-基本参数的测量.ppt
霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量【实验目的】【实验原理】由(1)、(2)两式可得:(3)比例系数称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出(伏)以及知道(安)、(高斯)和(厘米)可按下式计算(厘米3/库仑):(4)(2)由RH求载流子浓度n。即。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的,严格一点,如果考虑载流子的速度统计分布,需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系