霍尔效应及霍尔元件-基本参数的测量.ppt
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霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量.docx
霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量086041B班D组何韵摘要:霍尔效应是磁电效应的一种,利用这一现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.本实验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求,使用霍尔效应试验组合仪,采用“对称测量法”消除副效应的影响,经测量得到试样的VH—IM和VH—IS曲线,并通过实验测定的霍尔系数,判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数.关键词:霍尔效应halleffect
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霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量【实验目的】【实验原理】由(1)、(2)两式可得:(3)比例系数称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出(伏)以及知道(安)、(高斯)和(厘米)可按下式计算(厘米3/库仑):(4)(2)由RH求载流子浓度n。即。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的,严格一点,如果考虑载流子的速度统计分布,需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系
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实验名称:霍尔组件基本参数测量仪器与用具:TH-H霍尔效应实验组合仪实验目的:1、了解霍尔效应实验原理2、学习“对称法”消除副效应影响的方法系数、确定样品导电类型、计算霍尔组件灵敏度等实验报告内容(原理预习、操作步骤、数据处理、误差分析、思考题解答):【实验原理】实验原理】3、测量霍尔通有电流IS的半导体薄片置于与它垂直的磁场B中,在薄片的两测就会产生电势差UH—霍尔电势差,这种现象叫霍尔效应。霍尔效应产生的原因,是因为形成电流的载流子在磁场中运动时,受到洛沦兹力F=qv×B的作用,正、负电荷在样品两测边
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实验名称:霍尔组件基本参数测量仪器与用具:TH-H霍尔效应实验组合仪实验目的:1、了解霍尔效应实验原理2、学习“对称法”消除副效应影响的方法3、测量霍尔系数、确定样品导电类型、计算霍尔组件灵敏度等实验报告内容(原理预习、操作步骤、数据处理、误差分析、思考题解答)【实验原理】:通有电流IS的半导体薄片置于与它垂直的磁场B中,在薄片的两测就会产生电势差UH—霍尔电势差,这种现象叫霍尔效应。霍尔效应产生的原因,是因为形成电流的载流子在磁场中运动时,受到洛沦兹力F=qv×B的作用,正、负电荷在样品两测边界聚集,形
霍尔效应测量.ppt
霍尔效应测量螺纹管磁场【实验目的】1、FH2601实验用数字源表2、FH4512A霍尔效应螺纹管磁场实验仪FH2601实验用数字源表FH4512A霍尔效应螺旋管实验仪霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。霍尔效应原理图2、用霍耳元件测通电长直螺线管轴向磁感应强度B分布实验项目【实验内容】【思考与讨论】再见!