霍尔元件基本参量及磁场测量学习教案.pptx

霍尔元件基本参量(cānliàng)及磁场测量1、背景(bèijǐng)知识2、实验(shíyàn)目的3、实验仪器4、实验(shíyàn)原理不等位效应：电极不在等位面上，产生不等为电位差，只与有关与B无关。
埃廷豪森效应：载流子运动的速度不同，引起温差电压，的正负与，B的方向有关。
能斯特效应：电流电极与霍尔片的接触电阻不等，产生附加电压，的大小取决于磁场方向。
里纪勒杜克效应：由于热扩散电流的载流子的迁移速度不同，产生相应的温度电压，的大小与B的方向有关，与无关。
为抵消附加(fùjiā)效应：5、实验仪器介绍5.2半导体材料(cáiliào)的几何尺寸和线路连接图5.3霍尔元件(yuánjiàn)实验仪和测量仪霍尔元件(yuánjiàn)测量仪霍尔元件(yuánjiàn)位置的移动1、测绘VH-Is关系曲线(qūxiàn)[霍尔效应]
调节：

2、绘制(huìzhì)IS-Vσ曲线[欧姆定律]3、测绘(cèhuì)VH-IM关系曲线
调节:
4、测绘(cèhuì)电磁铁气隙中磁感应强度B沿X方向的分布曲线。

调节：

用公式计算各点磁感应强度B的值。
1.用坐标纸绘制(huìzhì)四个实验的图形并计算结果。
8、注意(zhùyì)9、仪器整理感谢您的观看(guānkàn)。