封装结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775775A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202310004829.8(22)申请日2023.01.03(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人季宏凯(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438专利代理师李建忠(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/538(2023.01)H01L25/065(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图6页(54)发明名称封装结构及其制作方法(57)摘要本公开涉及封装结构及其制作方法，制作方法包括：提供初始晶圆；在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元，其中，所述第一芯片单元包括多个间隔设置的第一已知合格裸片以及填充于相邻两个第一已知合格裸片之间的封装材料，所述第二芯片单元包括多个间隔设置的第二已知合格裸片以及填充于相邻两个第二已知合格裸片之间的封装材料。本公开提供的封装结构的制作方法，能够在增加堆叠层数的同时，提高堆叠良率和产量。CN115775775ACN115775775A权利要求书1/2页1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供初始晶圆；在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元，其中，所述第一芯片单元包括多个间隔设置的第一已知合格裸片以及填充于相邻两个第一已知合格裸片之间的封装材料，所述第二芯片单元包括多个间隔设置的第二已知合格裸片以及填充于相邻两个第二已知合格裸片之间的封装材料。2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元的步骤包括：提供多个第一晶圆，将所述多个第一晶圆键合以形成第一键合晶圆；切割所述第一键合晶圆，以形成多个第一单颗裸片，从所述多个第一单颗裸片中选取多个第一已知合格裸片；将多个所述第一已知合格裸片键合于所述初始晶圆上，在相邻两个所述第一已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第一芯片单元。3.根据权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆的数量为两个。4.根据权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，将多个所述第一已知合格裸片键合于初始晶圆上，在相邻两个所述第一已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第一芯片单元的步骤之后，还包括：平坦化所述第一芯片单元的背面；在平坦化后的所述第一芯片单元的背面制作第一金属化结构。5.根据权利要求4所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属化结构包括焊垫。6.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第一芯片单元上键合的所述中介层晶圆的厚度不小于200μm。7.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤之前，还包括：将所述中介层晶圆的厚度减薄；在减薄后的中介层晶圆上制作第二金属化结构。8.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，将所述中介层晶圆的厚度减薄至50μm以下。9.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二金属化结构包括硅通孔和焊垫；所述在减薄后的中介层晶圆上制作第二金属化结构的步骤包括：在减薄后的中介层晶圆中制作所述硅通孔；在减薄后的中介层晶圆的上表面制作所述焊垫。10.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤包括：提供多个第二晶圆，将所述多个第二晶圆键合以形成第二键合晶圆；2CN115775775A权利要求书2/2页切割所述第二键合晶圆，以形成多个第二单颗裸片，从所述多个第二单颗裸片中选取多个第二已知合格裸片；将多个所述第二已知合格裸片混合键合于所述焊垫上，在相邻两个所述第二已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第二芯片单元。11.根据权利要求1至10中任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤之前，还包括：在所述中介层晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；重复上述步骤，以形成堆叠设置的多个第一芯片单元，且所述第一芯片单元的远离所述初始晶圆的一侧均设置