半导体发光元件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106688115A(43)申请公布日2017.05.17(21)申请号201580048716.1(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/(22)申请日2015.09.14039593KO2016.03.17(30)优先权数据(71)申请人世迈克琉明有限公司10-2014-01211902014.09.12KR地址韩国京畿道10-2014-01211912014.09.12KR(72)发明人全水根白承昊李多来金奉焕10-2014-01211932014.09.12KR郑东昭10-2014-01284782014.09.25KR(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限10-2014-01284812014.09.25KR公司1112710-2014-01440882014.10.23KR代理人李辉金玲10-2014-01440872014.10.23KR(51)Int.Cl.(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/52(2010.01)2017.03.10H01L21/68(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2015/0096192015.09.14权利要求书2页说明书37页附图35页(54)发明名称半导体发光元件的制造方法(57)摘要本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHODOFMANUFACTURINGSEMICONDUCTORLIGHTEMITTINGDEVICE)，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用识别掩模的形状而校正要放置元件的位置的元件移送装置，在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semiconductorlightemittingchip)的步骤；以及将掩模作为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。CN106688115ACN106688115A权利要求书1/2页1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用元件移送装置，在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semiconductorlightemittingchip)的步骤，其中该元件移送装置识别掩模的形状而校正要放置元件的位置；以及以掩模为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：使用分拣(sorting)装置，将多个半导体发光芯片排列在固定层上的步骤，元件移送装置拾取(pick-up)固定层上的各个半导体发光芯片而放置在基底上，且在固定层上识别半导体发光芯片的空出位置而拾取下一个顺序的半导体发光芯片，在放置半导体发光芯片的步骤中，识别掩模形状及半导体发光芯片的电极的形状而校正半导体发光芯片的角度之后放置在基底上。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在放置半导体发光芯片的步骤中，元件移送装置识别掩模与基底的反射光之差，在从借助被识别出的开口而形成的掩模的面、边缘部及掩模上的点中的至少一个相隔所指示的距离的基底上的位置处放置半导体发光芯片。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在基底上放置半导体发光芯片的步骤中，半导体发光芯片是具有2个电极的倒装芯片(flipchip)，以使2个电极与基底相对的方式放置半导体发光芯片。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，半导体发光芯片包括：多个半导体层，该多个半导体层包括：具有第一导电性的第一半导体层、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间并通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；第一电极，其与第一半导体层电连通而供给电子和空穴中的一个；以及第二电极，其与第二半导体层电连通而供给电子和空穴中的另一个，在基底上放置半导体发光芯片的步骤之前包括：以露出第一电极及第二电极的方式在半导体发光芯片的表面涂覆荧光层的步骤。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在基底上配置掩模的步骤包括：在基底与掩模之间没有粘接剂的情况下，通过加压装置而对基底和掩模进行加压来使它们接触的过程。7.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在供给密封材料的步骤之后包括：以将掩模、密封材料及半导体发光芯片结合的状态从基底分离的步骤；以及以将密封材料及半导体发光芯片结合的状态从掩模取出的步骤。8.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，基底包括：2CN106688115A权利要求书2/2页多个导电部；以及介于多个导电部之间的绝缘部，多个导电部以上下露出，基底具