半导体发光元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106415859A(43)申请公布日2017.02.15(21)申请号201580029434.7(71)申请人世迈克琉明有限公司(22)申请日2015.06.03地址韩国京畿道(30)优先权数据(72)发明人全水根金太贤金太进朴俊阐10-2014-00675752014.06.03KR金柄摄金钟源朴基万10-2014-01408922014.10.17KR(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限10-2014-01408912014.10.17KR公司1112710-2015-00080362015.01.16KR代理人李辉金玲10-2015-00329272015.03.10KR(51)Int.Cl.(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/10(2006.01)2016.12.02H01L33/36(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2015/0055822015.06.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/186972KO2015.12.10权利要求书2页说明书33页附图26页(54)发明名称半导体发光元件及其制造方法(57)摘要本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其包括具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；电极，其与多个半导体层电连接；光吸收防止膜，其至少设于电极的周边；及非导电性反射膜，其覆盖多个半导体层、光吸收防止膜及电极，反射来自有源层的光，具备通过光吸收防止膜与电极之间的高度差而在电极的周边反射率下降的异常区域，在从电极的横截面观察时，从电极露出的光吸收防止膜比异常区域更长，以阻断来自有源层的光入射到非导电性反射膜的异常区域侧。CN106415859ACN106415859A权利要求书1/2页1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其包括：具备第一导电性的第一半导体层；具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层；及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；电极，其与多个半导体层电连接；光吸收防止膜，其至少设于电极的周边；及非导电性反射膜，其覆盖多个半导体层、光吸收防止膜及电极，反射来自有源层的光，且该非导电性反射膜具备因电极与电极的周边之间的高度差而在电极的周边反射率下降的异常区域，在从电极的横截面观察时，从电极露出的光吸收防止膜比异常区域更长，以阻断来自有源层的光入射到异常区域。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，非导电性反射膜包括分布布拉格反射器DistributedBraggReflector及全方位反射器Omni-DirectionalReflector中的至少一个。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，光吸收防止膜是电流阻断层currentblockinglayer，该电流阻断层介于多个半导体层与电极之间，并具备绝缘性。4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括透光性导电膜，该透光性导电膜介于光吸收防止膜与电极之间，并覆盖第二半导体层。5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，非导电性反射膜包括分布布拉格反射器DistributedBraggReflector及全方位反射器Omni-DirectionalReflector中的一个，电极的厚度为0.5μm～3.0μm，光吸收防止膜自电极的侧表面起的长度为2.0μm～10μm。6.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：追加的电极，其形成在蚀刻第二半导体层及有源层而露出的第一半导体层上；第一焊盘电极及第二焊盘电极，它们形成在非导电性反射膜上；第一电连接器，其贯穿非导电性反射膜而对第一焊盘电极和追加的电极进行电连接；及第二电连接器，其贯穿非导电性反射膜而对第二焊盘电极和电极进行电连接。7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，电极包括从第二焊盘电极的下方向第一焊盘电极的下方延伸的分支电极，光吸收防止膜介于第二半导体层与分支电极之间，与形成于分支电极的周边的异常区域对应地沿着分支电极而延伸。8.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，追加的电极包括追加的分支电极，该追加的分支电极在第一半导体层上，从第一焊盘电极的下方向第二焊盘电极的下方延伸，该半导体发光元件包括追加的光吸收防止膜，该追加的光吸收防止膜以与被蚀刻的第2CN106415859A权利要求书2/2页二半导体层及有源层相邻地与形成于非导电性反射膜的追加的异常区域对应的