半导体发光元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111656542A(43)申请公布日2020.09.11(21)申请号201980010196.3(72)发明人吉英运全水根(22)申请日2019.04.23(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司1(30)优先权数据112710-2018-00780672018.07.05KR代理人金玲崔成哲10-2018-00859682018.07.24KR(51)Int.Cl.10-2018-00859692018.07.24KRH01L33/38(2006.01)10-2018-00859712018.07.24KRH01L33/62(2006.01)10-2018-01140862018.09.21KRH01L33/20(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/24(2006.01)2020.07.23H01L33/12(2006.01)H01L33/36(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L33/00(2006.01)PCT/KR2019/0049102019.04.23H01L33/22(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L33/10(2006.01)WO2020/009319KO2020.01.09(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道权利要求书1页说明书17页附图19页(54)发明名称半导体发光元件及其制造方法(57)摘要本公开涉及半导体发光元件，基板；第一半导体层，其设置在基板上，具有第一导电性；有源层，其设置在第一半导体层上，通过电子和空穴的再结合而生成紫外线；第二半导体层，其设置在有源层上，具有与第一导电性不同的第二导电性；第一电极，其与第一半导体层电连接；第二电极，其与第二半导体层电连接；第二区域，其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部，多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出，并且包括有源层和第二半导体层；以及第一区域，其以包围第二区域的方式形成。CN111656542ACN111656542A权利要求书1/1页1.一种半导体发光元件，其包括：基板；第一半导体层，其设置在基板上，且具有第一导电性；有源层，其设置在第一半导体层上，且通过电子和空穴的再结合而生成紫外线；第二半导体层，其设置在有源层上，且具有与第一导电性不同的第二导电性；第一电极，其与第一半导体层电连接；第二电极，其与第二半导体层电连接；第二区域，其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部，上述多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出，并且包括有源层和第二半导体层；以及第一区域，其以包围第二区域的方式形成。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，包括：绝缘层，其形成在第一半导体层、第二半导体层以及有源层上；第一焊盘电极，其形成在绝缘层上，且与第一半导体层电连接；以及第二焊盘电极，其形成在绝缘层上，且与第二半导体层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，在俯视观察时，多个突出部和槽部形成为螺旋状。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，在俯视观察时，多个突出部和槽部形成多个闭回路。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，在俯视观察时，多个突出部和槽部形成为网格形状。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，第二电极点状地形成在多个突出部。7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，第二电极沿多个突出部而形成。8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，在槽部的第一半导体层的上表面与有源层的侧表面之间的角度形成为90度以上。9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，第二区域比第一区域小或与第一区域相同。10.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，包括：第二电连接，其形成在多个突出部与第二焊盘电极之间，第二焊盘电极沿多个突出部而形成。2CN111656542A说明书1/17页半导体发光元件及其制造方法技术领域[0001]本公开(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，尤其涉及发出紫外线的半导体发光元件。[0002]并且，本公开(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，尤其涉及发光效率高的半导体发光元件。[0003]并且，本公开(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，尤其涉及具有降低工作电压且发光效率高的电极结构的半导体发光元件及其制造方法。[0004]其中，半导体发光元件表示通过电子和空穴的再结合产生光的半导体光学器件，可以例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化合物构成。除此之外，还可以例举用于发出红色光的GaAs系半