半导体发光元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN109196667B(45)授权公告日2022.02.25(21)申请号201780016053.4(72)发明人全水根金炅珉朴恩铉曹永琯(22)申请日2017.03.07郑桂月郑东昭百成皓朴应锡李慧智(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109196667A(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127(43)申请公布日2019.01.11代理人金玲(30)优先权数据(51)Int.Cl.10-2016-00270722016.03.07KRH01L33/48(2006.01)10-2016-00283202016.03.09KRH01L33/02(2006.01)10-2016-00352002016.03.24KRH01L33/50(2006.01)10-2016-00455952016.04.14KRH01L33/36(2006.01)10-2016-00475672016.04.19KRH01L33/52(2006.01)10-2016-00633622016.05.24KRH01L33/62(2006.01)10-2016-00648302016.05.26KRH01L33/10(2006.01)10-2016-00671592016.05.31KRH01L33/60(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日(56)对比文件2018.09.07US2014054621A1,2014.02.27(86)PCT国际申请的申请数据CN104733597A,2015.06.24PCT/KR2017/0024552017.03.07CN104253201A,2014.12.31(87)PCT国际申请的公布数据审查员刘佳秋WO2017/155282KO2017.09.14(73)专利权人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道权利要求书1页说明书25页附图39页(54)发明名称半导体发光元件及其制造方法(57)摘要本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，包括多个半导体层和电极，多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，上述电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。CN109196667BCN109196667B权利要求书1/1页1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部和侧壁，且在底部形成有至少一个以上的孔，底部包括上表面和下表面，侧壁包括外侧面和内侧面；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，且具备多个半导体层和电极，该多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，该电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角，多个倾斜角是第一倾斜角和第二倾斜角，第一倾斜角是底部的内侧面与底部的下表面构成的倾斜角，第二倾斜角是底部的内侧面与平行于底部的下表面的虚拟面构成的倾斜角，第一倾斜角比第二倾斜角大，底部的长度中除了孔的底部的长度比侧壁的高度和半导体发光元件芯片的长度长，半导体发光元件芯片的高度比底部的高度高，其中底部的高度以及半导体发光元件芯片的高度是以底部的下表面为基准测量的。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，第一倾斜角为60°以上且90°以下。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，第二倾斜角为60°以下。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，从第一倾斜角变成第二倾斜角的地点的高度低于半导体发光元件芯片的上表面。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，侧壁的一部分被去除，从而侧壁包括至少一个以上的开放区间。2CN109196667B说明书1/25页半导体发光元件及其制造方法技术领域[0001]本公开(Disclosure)总体上涉及半导体发光元件，尤其是，提高光提取效率的半导体发光元件。背景技术[0002]在这里，提供与本公开相关的背景技术，但是并不表示这些技术一定是公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。并且，在本说明书中，上侧/下侧、上/下、长度方向/宽度方向等方向以附图为基准。[0003]图1是现有的半导体发光元件芯片的一例的示意图。[0004]半导体发光元件芯片包括外延生长基板(10；例如蓝宝石基板)、以及依次蒸镀在外延生长基板(10)上的缓