传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107068578A(43)申请公布日2017.08.18(21)申请号201710293294.5(22)申请日2017.04.28(71)申请人苏州迈瑞微电子有限公司地址215123江苏省苏州市工业园区仁爱路166号亲民楼230室(72)发明人李扬渊(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆胡彬(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构(57)摘要本发明实施例公开了一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构，其中，所述传感器封装结构的制备方法包括：提供芯片，所述芯片的第一表面形成有功能电路；在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球，所述植球与所述功能电路电连接；将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合；在所述保护部的第一表面上方形成封装层，所述封装层包覆所述芯片；对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘，形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。本发明实施例提供的技术方案，可以降低工艺难度，解决因openmolding产生的溢料造成传感器封装结构报废的问题，提高传感器封装良率。CN107068578ACN107068578A权利要求书1/1页1.一种传感器封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片的第一表面形成有功能电路；在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球，所述植球与所述功能电路电连接；将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合；在所述保护部的第一表面上方形成封装层，所述封装层包覆所述芯片；对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘，形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片上形成有通孔；所述在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球包括：沿垂直于所述第一表面的方向，在所述芯片的第二表面上与各所述通孔正对的位置形成所述植球，其中所述植球通过所述通孔与所述功能电路电连接。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片上开设有沟槽，所述沟槽内形成有通孔；所述第二表面上形成的植球通过所述通孔与所述功能电路电连接。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿垂直于所述第一表面的方向，所述植球的高度大于或等于20um。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护部包括介电层，所述介电层的材料包括蓝宝石、陶瓷、水晶或玻璃。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合，包括：将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面通过连接胶贴合。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘包括：切割和/或打磨所述封装层和所述植球，暴露出所述植球的部分区域以形成所述焊盘。8.一种传感器封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片的第一表面形成有功能电路，与第一表面相对设置的第二表面之上形成与功能电路电连接的植球；保护部，所述保护部的第一表面与所述芯片的第一表面贴合；封装层，所述封装层位于保护部的第一表面上方，所述封装层包覆所述芯片和植球；所述封装层远离所述保护部第一表面的封装层的表面设置有焊盘，所述焊盘为所述封装层减薄后植球形成的截面，所述封装层暴露出所述焊盘。2CN107068578A说明书1/5页传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构技术领域[0001]本发明实施例涉及传感器封装技术领域，尤其涉及一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构。背景技术[0002]传感器封装结构包括芯片、保护层和填充结构。芯片与保护层结合，芯片靠近保护层的一面布置功能电路，芯片远离保护层的一面与基板连接，基板上设置焊盘，焊盘用于提供芯片与外部电路电联接。塑封材料作为填充结构包围在基板的外围，包含焊盘的基板部分暴露在塑封材料形成的填充结构的开口中，方便电联接。[0003]现有传感器封装结构使用的是openmolding(开口封装)封装方案，在制作传感器封装结构时，将保护层和芯片结合后，采用塑封材料形成填充结构进行封装。Openmolding的封装方案在封装过程存在技术难度，工艺困难。并且在封装过程中封装材料容易产生溢料而覆盖在焊盘表面，形成的传感器封装结构很难恢复，甚至作报废处理。发明内容[0004]本发明提供一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构，以降低封装技术难度，解决封装过程中塑封材料溢料造成封装失败的问题。[0