封装结构、封装结构的制备方法和电子设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939117A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211270108.3H01L23/535(2006.01)(22)申请日2022.10.18H01L23/538(2006.01)(71)申请人维沃移动通信有限公司地址523863广东省东莞市长安镇维沃路1号(72)发明人金豆(74)专利代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343专利代理师唐应梅尚志峰(51)Int.Cl.H01L25/16(2023.01)H01L25/18(2023.01)H01L21/50(2006.01)H01L23/28(2006.01)H01L23/48(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称封装结构、封装结构的制备方法和电子设备(57)摘要本申请公开了一种封装结构、封装结构的制备方法和电子设备，封装结构包括：第一芯片层，第一芯片层包括多个第一芯片；转接板，设置于第一芯片层，多个第一芯片通过转接板电连接，转接板上设有连接孔；第二芯片层，堆叠于转接板背离第一芯片层的一侧，并与转接板键合，第二芯片层包括多个第二芯片，多个第一芯片和多个第二芯片通过连接孔电连接；连接柱，设于转接板，位于多个第二芯片的周侧，连接孔与连接柱电连接。在本申请的实施例中，极大的缩小了封装结构的体积，通过连接柱连通连接孔，实现信号的传递，大大的降低了生产成本。CN115939117ACN115939117A权利要求书1/2页1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一芯片层，所述第一芯片层包括多个第一芯片；转接板，设置于所述第一芯片层，多个所述第一芯片通过所述转接板电连接，所述转接板上设有连接孔；第二芯片层，堆叠于所述转接板背离所述第一芯片层的一侧，并与所述转接板键合，所述第二芯片层包括多个第二芯片，多个所述第一芯片和多个所述第二芯片通过所述连接孔电连接；连接柱，设于所述转接板，位于多个所述第二芯片的周侧，所述连接孔与所述连接柱电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片层还包括：第一塑封层，所述多个第一芯片通过所述第一塑封层塑封，所述第一芯片朝向所述转接板的一侧显露于所述第一塑封层；多个凸块，设于所述第一芯片朝向所述转接板的一侧，所述凸块与所述连接孔连接。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一重新布线层，设于所述转接板与所述凸块的接触面，多个所述第一芯片通过所述第一重新布线层连接。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：填充胶，所述填充胶填充于所述凸块与所述转接板之间的缝隙处；第二塑封层，所述转接板通过所述第二塑封层塑封，所述连接孔显露于所述第二塑封层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一介电层，涂覆于所述转接板背离所述第一芯片层的一侧，所述连接柱设于所述第一介电层；第二重新布线层，设于所述第一介电层，所述第二重新布线层与所述连接孔和所述连接柱连接，所述第二芯片与所述第二重新布线层连接。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片层还包括：第三塑封层，所述多个第二芯片通过所述第三塑封层与所述转接板塑封，所述连接柱和所述第二芯片背离所述第一芯片的一侧均显露于所述第三塑封层；第二介电层，设于所述第二芯片背离所述第一芯片的一侧；第三重新布线层，设于所述第二介电层，与所述连接柱连接；焊球，设于所述第二介电层，与所述第三重新布线层连接。7.一种封装结构的制备方法，用于如权利要求1至6中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构的制备方法包括：将所述第一芯片层与所述转接板键合并进行塑封；在所述转接板上制备所述连接柱；将所述第二芯片与所述转接板键合，并对所述第二芯片和所述连接柱进行塑封。8.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述封装结构还包括第二塑封层，所述将所述第一芯片层与所述转接板键合并进行塑封的步骤之后，还包括：对所述第二塑封层进行磨片处理，使所述连接孔显露于所述第二塑封层；和/或2CN115939117A权利要求书2/2页所述在所述转接板上制备所述连接柱的步骤，具体包括：在所述转接板背离所述第一芯片层的一侧涂覆第一介电层；在所述第一介电层上制备第二重新布线层和所述连接柱。9.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第二芯片层还包括第三塑封层，所述对所述第二芯片和所述连接柱进行塑封的步骤之后，还包括：对所述第二芯片层进行磨片处理，使所述连接柱显露于所述第三塑封层，并使所述第二芯片减薄；在所述第二芯片层背离所述第一芯片层的一侧涂覆第二介电层，并制备第三重新布线层和凸块底部金属；在所述凸块底部金属上进行植球。10.一种电子设备